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公开(公告)号：CN112717917B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201911040097.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法。该方法将包含碘化铵和硝酸铋的混合有机溶液作为前驱体；控制导电基底温度为200℃～400℃，将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上，控制喷涂速度为0.1～2毫升/平方厘米/分钟，喷涂总量为5～20毫升/平方厘米，形成BiOI薄膜；然后，将含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液均匀喷涂在80℃～120℃的BiOI薄膜上，在300℃～500℃煅烧1h～5h，获得钒酸铋薄膜。该方法成本低，简单易操作，能够制成具有纳米结构、大面积、高性能的钒酸铋薄膜，可作为光电催化分解水制氢的光阳极。
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公开(公告)号：CN115704084A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110945816.1
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/58 , C25B1/04 , C25B11/077 , C25B11/087
Abstract: 本发明公开了一种α‑钨酸亚锡薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：在真空条件下使氧化钨薄膜与包含亚锡源的蒸汽流接触反应，从而制得α‑钨酸亚锡薄膜。本发明采用亚锡蒸气法制得α‑钨酸亚锡薄膜的具有优异的光学带隙，能够较好的应用于光电催化、光催化或气体传感器等领域，同时本发明的亚锡蒸气法操作简单，成本低，能够实现大规模的商品化应用。
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公开(公告)号：CN115125568B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110323172.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 上海大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种大面积镍基电催化剂薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用超声雾化的方式，以0.1～2mL/cm2·min的速率将包含镍盐的前驱体溶液施加于基底表面，之后于260℃～400℃发生热解形成大面积镍基电催化剂薄膜；其中，所述超声雾化采用的工艺条件包括：超声雾化装置的超声功率为80～120kHz，所述包含镍盐的前驱体溶液施加于所述基底表面的总量为5～20mL/cm2。本发明制备的大面积镍基电催化剂薄膜的电极电流密度更大，电极面积更大，材料成本低，稳定性强，只含有一种前驱体物质，相对于其他制备方法而言，制备过程更加简便，易于放大至实际的商业化生产中，具有大规模市场化前景。
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公开(公告)号：CN114527627B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210225965.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件。所述光刻方法包括：提供有机半导体材料层，并在其上覆设图案化掩模，使其表面的选定区域从图案化掩模中露出；以功能化改性剂与选定区域接触，同时以选定波长的光照射选定区域，从而将选定区域内的有机半导体材料转化为能够被选定溶剂溶解的物质；去除图案化掩模，并以选定溶剂充分清洗经上一步处理后的有机半导体材料层，从而获得图案化的有机半导体材料层。本发明所提供的光刻方法无需使用光刻胶及相应的显影剂和刻蚀剂等，对基底材料不会造成损伤，提高了有机半导体微器件的性能；并且该光刻方法工艺过程简便、可控，能够显著地降低有机半导体微器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN111348683B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811561887.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明公开了一种固相法合成高结晶铌酸锡的方法，其包括：在惰性气氛中使包含五氧化二铌和氯化亚锡的固相混合物于350～600℃固相反应3h～20h，之后于750～1100℃进行退火处理5h～20h，获得高结晶铌酸锡。本发明的固相法合成高结晶铌酸锡的方法是在惰性气氛条件下，通过固相反应加热五氧化二铌Nb2O5与氯化亚锡SnCl2，惰性气体氛围避免了Sn(II)被氧化成Sn(Ⅳ)。高温条件下原材料有较高的反应活化能，有利于五氧化二铌Nb2O5与氯化亚锡SnCl2晶格重构合成富氧缺陷的高结晶性铌酸亚锡SnNb2O6，减少了结晶性差形成的缺陷，提高了光电催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114527627A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210225965.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件。所述光刻方法包括：提供有机半导体材料层，并在其上覆设图案化掩模，使其表面的选定区域从图案化掩模中露出；以功能化改性剂与选定区域接触，同时以选定波长的光照射选定区域，从而将选定区域内的有机半导体材料转化为能够被选定溶剂溶解的物质；去除图案化掩模，并以选定溶剂充分清洗经上一步处理后的有机半导体材料层，从而获得图案化的有机半导体材料层。本发明所提供的光刻方法无需使用光刻胶及相应的显影剂和刻蚀剂等，对基底材料不会造成损伤，提高了有机半导体微器件的性能；并且该光刻方法工艺过程简便、可控，能够显著地降低有机半导体微器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN111348683A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811561887.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明公开了一种固相法合成高结晶铌酸锡的方法，其包括：在惰性气氛中使包含五氧化二铌和氯化亚锡的固相混合物于350～600℃固相反应3h～20h，之后于750～1100℃进行退火处理5h～20h，获得高结晶铌酸锡。本发明的固相法合成高结晶铌酸锡的方法是在惰性气氛条件下，通过固相反应加热五氧化二铌Nb2O5与氯化亚锡SnCl2，惰性气体氛围避免了Sn(II)被氧化成Sn(Ⅳ)。高温条件下原材料有较高的反应活化能，有利于五氧化二铌Nb2O5与氯化亚锡SnCl2晶格重构合成富氧缺陷的高结晶性铌酸亚锡SnNb2O6，减少了结晶性差形成的缺陷，提高了光电催化活性。
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公开(公告)号：CN115125568A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110323172.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 上海大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种大面积镍基电催化剂薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用超声雾化的方式，以0.1～2mL/cm2·min的速率将包含镍盐的前驱体溶液施加于基底表面，之后于260℃～400℃发生热解形成大面积镍基电催化剂薄膜；其中，所述超声雾化采用的工艺条件包括：超声雾化装置的超声功率为80～120kHz，所述包含镍盐的前驱体溶液施加于所述基底表面的总量为5～20mL/cm2。本发明制备的大面积镍基电催化剂薄膜的电极电流密度更大，电极面积更大，材料成本低，稳定性强，只含有一种前驱体物质，相对于其他制备方法而言，制备过程更加简便，易于放大至实际的商业化生产中，具有大规模市场化前景。
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公开(公告)号：CN114272936A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111628240.2
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: B01J23/843 , B01J23/31 , B01J23/22 , B01J35/02 , B01J35/10
Abstract: 本发明公开了一种多元金属氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将凝胶剂、至少两种不同的金属阳离子、氨水、表面活性剂与成膜剂混合形成溶胶，其中，所述凝胶剂包括柠檬酸；以及，采用超声喷雾的方式，将所述溶胶施加于基底表面，之后于100℃～500℃退火处理2～120min，制得多元金属氧化物薄膜。本发明提供的多元金属氧化物薄膜的制备方法操作简单、低成本、安全、高效，可以在温和条件下制备多元金属氧化物薄膜；同时制备的多元金属氧化物薄膜具有高覆盖率、良好的结晶度和丰富的孔隙结构，并通过调整工艺参数来调控薄膜表面孔径大小和孔隙率，有益于电荷传输与物质扩散。
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公开(公告)号：CN112717917A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201911040097.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法。该方法将包含碘化铵和硝酸铋的混合有机溶液作为前驱体；控制导电基底温度为200℃～400℃，将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上，控制喷涂速度为0.1～2毫升/平方厘米/分钟，喷涂总量为5～20毫升/平方厘米，形成BiOI薄膜；然后，将含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液均匀喷涂在80℃～120℃的BiOI薄膜上，在300℃～500℃煅烧1h～5h，获得钒酸铋薄膜。该方法成本低，简单易操作，能够制成具有纳米结构、大面积、高性能的钒酸铋薄膜，可作为光电催化分解水制氢的光阳极。
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