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公开(公告)号：CN116827302A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210291742.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
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公开(公告)号：CN110690645B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910992563.6
申请日：2019-10-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光器阵列驱动装置及其封装方法，该装置包括：承载基板，表面有焊盘；激光器阵列芯片，包括n×n个相同或不同的激光器器件，其中n≥1；导热膜，设置于激光器阵列芯片与承载基板之间；激光器驱动模块，与激光器阵列芯片间通过电学连接结构连接；隔热结构，设置于激光器驱动模块片与承载基板之间；以及热沉结构，与所述承载基板相连接。本公开提供的该激光器阵列驱动装置及其封装方法，采用三维堆叠封装，通过导热薄膜进行有效的片间散热，具有响应时间短、集成度高、可靠性高等特点，相比于其他驱动及封装方法大大提高了驱动同一性、发射功率和空间利用率，因此在光学成像、通信、互联、存储等领域具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN109283236A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811363372.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本公开提供了一种集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS-MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。
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公开(公告)号：CN113504394B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110787431.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
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公开(公告)号：CN115541067A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211012250.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件，包括微纳器，所述微纳器包括壳体，壳体的上部为安装口，壳体内底部设置有印刷电路板，所述壳体内两侧对称设置有衬垫，所述衬垫下端与印刷电路板相连，对应安装口位置的壳体另外两侧内对称设置有弹簧梁组件，两个弹簧梁组件之间共同水平固装一质量块，实施质量块的中心处制有凹槽，用于限位安装有永磁体，所述质量块相对衬板两侧中部等间距排列有可移动平行极板，所述可移动平行极板、质量块和永磁铁构成活动体，且衬垫相对侧壁上等间距排列有固定平行极板，固定平行极板另一端穿插在所述可移动平行极板的间隔中。本发明可以对在生产工况下对金属薄板的微缺陷进行检测、且检测精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113872544A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111184437.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。
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公开(公告)号：CN109573941A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811360938.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C1/0015
Abstract: 本公开提供一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS-MEMS集成芯片的制备，采用Inter-CMOS和Post-CMOS工艺的融合，减小了器件的寄生电容，降低了信号噪声，大大提高了器件的稳定性和成品率。
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公开(公告)号：CN105858593A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610206744.8
申请日：2016-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00206
Abstract: 一种用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法，包括：对SOI片进行清洗；淀积二氧化硅层；形成两个压阻以及电学连接线；光刻和刻蚀，形成窗口；刻蚀出局域修饰区，在双端固支梁的表面生长金属薄膜；生长掩膜层；在窗口内掩膜层的表面刻蚀；刻蚀，得到双端固支梁的悬空结构；刻蚀，去除双端固支梁上的掩膜层；选用一封装盖片，将封装盖片扣置键合在双端固支梁器件的上面，形成反应液体的微流道以及反应腔；对双端固支梁局域修饰区硅表面采用硅烷化处理。本发明可以提高双端固支梁器件的成品率以及质量灵敏度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103303862B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310234239.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器的制作方法，生化传感器以悬臂梁为结构单元，采用微纳加工工艺在硅基片上制作，即在硅片上通过光刻、干法刻蚀工艺制作悬臂梁及其附属结构，通过离子注入、电子束蒸发工艺制作出电学感应元件，从而使器件具有对探测信号自检测的功能。封装盖片通过设计模具，采用聚合物固化脱模键合工艺制作而成。本发明大大提高了器件的制作精度和成品率，可用于器件的大规模制作，有效降低了生产成本。此外，本发明还可应用于其它结构的MEMS器件的制作，如双端固支梁结构、叉指式加速度计及其它电容、电阻式传感器。
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公开(公告)号：CN102623253A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105187.2
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了一种快速射频微机械开关，包括复合悬臂梁、驱动下电极、射频传输线和高阻硅衬底，复合悬臂梁是由上下两层介质层和中间的金属层构成的三明治结构，该快速射频微机械开关采用inline排布，复合悬臂梁位于驱动下电极的正上方，平行于射频传输线；复合悬臂梁结构中的金属层作为驱动上电极，在开关导通时复合悬臂梁成为信号线的一部分；在复合悬臂梁的自由端形成金属接触头，在复合悬臂梁两侧有一对支撑小臂；三明治结构的复合悬臂梁通过锚点固定于射频传输线上。本发明在保持较低驱动电压的前提下实现了μs级的开关时间，通过调节三明治结构上下介质层的生长条件改善了应力问题，提高了开关的可靠性。
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