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公开(公告)号：CN107359135A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610302700.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L23/66
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/66 , H01L2221/68386
Abstract: 一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，包括步骤：(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。还提供上述方法所制备的转移键合结构和包含该结构的片上集成器件。含上述结构的集成器件能降低太赫兹波损耗，提高利用效率，实现其对微量样品和液态样品检测。
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公开(公告)号：CN103165418B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310079069.3
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
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公开(公告)号：CN104795461A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L31/119 , H01L31/1844
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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公开(公告)号：CN103367588A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310290299.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN103532010B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310509314.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105589119A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610110101.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B5/08
CPC classification number: G02B5/0816
Abstract: 本发明提供一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法，其中带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。本发明通过增加并改变DBR结构材料的组成以及重复的周期数，从而提高外延层对光的吸收效率，提高太赫兹天线的辐射性能。
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公开(公告)号：CN103576221B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310510519.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。
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公开(公告)号：CN103531679A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503124.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , B82Y40/00 , H01L33/04 , H01L33/30
Abstract: 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103531679B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310503124.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103576221A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310510519.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。
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