光量子受控非门及其实现方法

    公开(公告)号:CN116151382B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202310140952.2

    申请日:2023-02-16

    Abstract: 本公开提供一种光量子受控非门及其实现方法,其包括利用微腔将控制光子复制到电子自旋态;将处于右旋态的光子输入微腔,使右旋态的光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠,得到第一纠缠态、第一反射态以及透射态;将反射态输入第一半波片后转为左旋态,左旋态与透射态合并产生第一输出光量子态;将信号光子输入微腔,使信号光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠,得到第二纠缠态以及第二反射态;根据第二纠缠态产生第二输出光量子态;第一输出光量子态和第二输出光量子态处于纠缠状态。本公开在微腔Q值足够高,量子点耦合效率足够好,光子输入输出效率足够高以及量子点质量足够好的情况下,理论效率可以接近100%并且可以获得确定性结果。

    基于双腔结构的纠缠光源

    公开(公告)号:CN110098563B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910504380.5

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源,由上至下包括:上DBR层,用于提高反射率;上腔体,用于提供上谐振腔模;中DBR层,用于提高反射率;下腔体,用于提供下谐振腔模;以及下DBR层,用于提高反射率;所述基于双腔结构的纠缠光源,通过改变材料的结构,可以直接构造出双腔模结构,包括上中下三层分布式布拉格反射镜(DBR),其用于提高反射率,不需要太复杂的工艺,收集纠缠光子对的效率提高了很多。

    光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置

    公开(公告)号:CN111089648A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN202010034295.X

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本公开提供一种光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置,包括:氦氖激光,用于发出泵浦光,经单模光纤耦合输出;Y形熔融光纤波分复用器,用于将泵浦光导入光纤耦合单光子源器件激发产生单量子点荧光信号;2x2熔融光纤分束器,与Y形熔融光纤波分复用器的输出端相连,用于将单量子点荧光信号按功率平分为两路并输出;激光准直器,分别将两路功率平分后的单量子点荧光信号转换为两路空间平行荧光;滤波片组,用于分别将两路空间平行荧光中的非单光子信号滤除,得到两路窄谱线单光子信号;两个硅单光子计数器,用于测试窄谱线单光子信号计数率;时间符合计数模块,与硅单光子计数器相连,通过符合计数表征单光子信号二阶关联度。

    电致单光子源器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107275452A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710381686.7

    申请日:2017-05-25

    CPC classification number: H01L33/10 H01L33/0066 H01L33/14 H01L33/30

    Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法,其中制备方法包括:步骤1、在一衬底的上表面依次形成电流限制层和砷化镓层;步骤2、在步骤1形成的器件的上表面中心位置形成作为电流注入区的凸台;在步骤1形成的器件的上表面除了凸台所在区域的其他区域腐蚀去除砷化镓层,并露出电流限制层;步骤3、待步骤2中露出的电流限制层氧化后,在步骤2形成的器件的上表面二次外延形成p型掺杂分布式布拉格反射层,完成电致单光子源器件的制备。本发明通过二次外延的方法制备得到的电致单光子源器件,可以有效的缩小电致结构中注入电流的面积,从而可降低阈值电流,易于形成光的模式限制。

    利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统

    公开(公告)号:CN103592818B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310594552.5

    申请日:2013-11-21

    Abstract: 一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统,该系统包括:一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室;一原子力显微镜,其固定在超高真空室的底部;一衬底托固定装置,其固定在原子力显微镜的上面,该衬底托固定装置的中间有一孔洞;一衬底托,其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面;一机械臂,其固定在超高真空室的上面,用于衬底托的传递;一探针置换腔,其固定在超高真空室的侧壁上,用于原子力显微镜探针的更换;一监控系统,用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。

    基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法

    公开(公告)号:CN117970753A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410288380.7

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明提供一种基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法,该装置包括:激光发射组件,包括:激光二极管,用于产生激光光束;准直器,用于将激光光束转换为平行光束;光栅模块,用于基于平行光束产生多个衍射光束,其中一个衍射光束会再次入射至激光二极管中,向激光二极管提供光反馈,以形成光栅外腔结构,其余衍射光束用于输出相干激光;光反馈是基于对衍射光束进行波长选择后得到的特定光信号实现的;驱动/温控模块,与激光发射组件相连接,用于对激光发射组件进行电流注入和温度控制;空间滤波模块,用于对激光发射组件输出的相干激光进行空间滤波,得到高斯形单横模光束;自干涉装置,用于基于高斯形单横模光束对样片进行全息光刻。

    利用半导体激光器实现全息光刻的装置

    公开(公告)号:CN115373229A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211042313.4

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置,可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括:激光发射组件,检测组件和干涉装置。激光发射组件包括:蓝光激光二极管,准直透镜,驱动/温控模块,光栅构成光栅外腔结构,用于产生并输出单纵模蓝光激光;检测组件,用于实时监测单纵模蓝光激光的光谱和光强;干涉装置,用于利用单纵模蓝光激光对实验样片执行全息光刻工艺。本发明通过光栅外腔结构产生与输出单纵模蓝光激光,并实现了单纵模蓝光激光应用到全息光刻技术,其装置简便,可进行小区域的布拉格光栅制备,适用于分布式反馈激光器研制,促进其产业应用,同时也促进蓝紫光至紫外光半导体激光二极管的研发和应用。

    基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法

    公开(公告)号:CN103531441B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310503797.2

    申请日:2013-10-23

    Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一Si衬底,该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层;步骤2:对Si衬底进行清洗;步骤3:采用自催化的方法,在二氧化硅层上生长GaAs纳米线,对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂;步骤4:采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴,抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长;步骤5:在低As压的环境中,在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点;步骤6:在InAs量子点上生长GaAs层,形成分叉结构基片;步骤7:在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层;步骤8:在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层,进行工艺制备形成可调控多端量子器件,完成制备。

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