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公开(公告)号：CN103194793B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310088301.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
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公开(公告)号：CN103165418B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310079069.3
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
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公开(公告)号：CN104795461A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L31/119 , H01L31/1844
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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公开(公告)号：CN103367588A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310290299.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN104795461B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531441B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310503797.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
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公开(公告)号：CN103163109B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310056260.6
申请日：2013-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种自组织单量子点的定位装置和方法，其装置包括：激光器，其用于产生激发光，激发量子点样品中的量子点产生荧光光束；紫外光源装置，其用于产生紫外光，对单量子点微区光刻胶曝光；显微物镜，其用于汇聚所述激发光和紫外光到所述量子点样品表面微区，并收集所述微区中量子点的荧光光束，其还用于扫描样品表面；光谱仪，其用于表征所述荧光光束，得到荧光光谱；其方法是：在所述荧光光谱找到单量子点对应的分立谱线后停止扫描，打开所述紫外光对当前扫描的样品表面微区光刻胶曝光，以定位单量子点。本发明避免了平面阵列版图工艺在定位单量子点微区上的盲目性，达到了原位准确定位单量子点的目的，提高了单光子源器件的成品率。
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公开(公告)号：CN103194793A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310088301.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
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公开(公告)号：CN103165418A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310079069.3
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
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公开(公告)号：CN103532010B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310509314.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
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