公开(公告)号：CN103278507A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310174323.8

申请日：2013-05-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 武树杰 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  高寒松 ,  俞金玲

IPC: G01N21/84 ,  G01N21/17

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料弹光系数的装置及方法，该装置沿光路依次包括光源、斩波器、起偏器、相位调制器、检偏器、光谱仪、光电探测器、信号采集系统和计算机控制系统，光源发出的光经过斩波器后变成强度周期性调制的光、经过起偏器后变成线偏振光，线偏振光经过相位调制器后照在样品上，确保近垂直入射，反射光经过检偏器后经过光谱仪最后被光电探测器接收，通过信号采集系统利用计算机控制系统进行控制和数据采集。本发明采用反射差分光谱，对样品施加连续可调的单轴应变；根据半导体材料平面内两个互相垂直的晶向反射系数的差异，从而得到折射率和吸收系数差异；利用晶体弹光系数矩阵和施加的单轴应变，得到弹光系数随光波波长的变化。

公开(公告)号：CN103278452A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310165677.6

申请日：2013-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马惠 ,  陈涌海 ,  蒋崇云 ,  刘雨

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明公开了一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法，该系统包括激发光光路、辅助光光路和测量电路，其中，激发光光路的圆偏振激发光垂直入射到样品的中心位置，辅助光光路的非偏振辅助光斜入射到样品的中心位置，测量电路对样品产生的光生电压信号进行测量，得到左圆偏振光和右圆偏振光于样品上产生的电压之差并输出。利用本发明，解决了实验操作复杂、调控效率低等问题，从而达到了便捷高效、灵活操作的目的。

公开(公告)号：CN105717467B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610116108.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邬庆 ,  刘雨 ,  李远 ,  黄威 ,  陈涌海

IPC: G01R33/032

Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。

公开(公告)号：CN105651785A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201511021603.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄威 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  高寒松 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01N21/95

CPC classification number: G01N21/9501

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微结构缺陷虽然自身很小，但是会在其周围产生一个相对自身很大的应变分布场，而该应变场会产生光学反射各向异性信号，该测试方法通过测量微结构缺陷周围每一测量点处光学反射各向异性信号，从而可以直接获得微结构缺陷附近与应变场相关且随着空间位置变化的光学反射各向异性显微成像图，进而获得缺陷的种类、密度和应变分布等信息。本发明对材料微结构缺陷的表征具有操作简便快捷、无损伤、可移植性强等优点。

公开(公告)号：CN103940537A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410143013.4

申请日：2014-04-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高寒松 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  张宏毅 ,  黄威 ,  朱来攀 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01L1/24 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明公开了一种材料的微区应力测试系统，其采用微区透射差分偏振谱法(μ-TDS，microscopic transmission difference spectroscopy)建立。整个测试系统包括线偏振激光源(1)、光相位调制器(2)、斩波器(3)、聚焦物镜(41)、收集物镜(42)、检偏器(6)和信号采集系统(7)，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。本发明通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔT／T求得测试材料的应力分布，可以克服现有测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况。且测试过程简单快捷，测试精度高。

公开(公告)号：CN103308224A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310194074.9

申请日：2013-05-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高寒松 ,  陈涌海 ,  张宏毅 ,  刘雨

IPC: G01L1/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体微区应力测试系统。系统包括激光光源、空间滤波器、起偏器、检偏器、物镜、载物台、光弹性调制器、探测器及锁相放大器，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔR/R求得测试材料的应力分布。本发明可以克服其它测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况，测试过程简单快捷，测试精度高。

公开(公告)号：CN105717467A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610116108.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邬庆 ,  刘雨 ,  李远 ,  黄威 ,  陈涌海

IPC: G01R33/032

CPC classification number: G01R33/032

Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。

公开(公告)号：CN103809101A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410050256.3

申请日：2014-02-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱来攀 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  俞金玲 ,  蒋崇云

IPC: G01R31/265

Abstract: 一种光致反常霍尔效应的变温测量系统，包括：一激光光源；一信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到圆偏振自旋相关反常霍尔光电流；一光学斩波器置于激光光源的光路上，并与信号采集系统相连；一光学起偏器位于该光学斩波器的光路上，用于控制激光的偏振方向；一光弹性调制器置于光学起偏器的光路上，并与信号采集系统相连；一光学凸透镜位于光弹性调制器的光路上，用于调整激光光斑打到样品表面的大小；一变温液氮杜瓦样品座于光学凸透镜的光路上，并与信号采集系统相连；一直流电压源用于给变温液氮杜瓦样品座中的待测样品施加外电压；一直流电流源在测量普通光电流时提供直流电流。