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公开(公告)号：CN110635024A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911034542.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于竞争自旋流控制磁随机存储器及其制备方法，通过对自旋轨道耦合层施加脉冲电压，由竞争自旋流产生的自旋轨道矩效应，控制磁隧道结中磁自由层磁矩产生180°翻转，实现信息的写入；通过测量磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，实现信息的读取。
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公开(公告)号：CN115589764A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110759599.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
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公开(公告)号：CN113363378A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110611143.6
申请日：2021-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 王开友 , 刘雄华 , 佐拉.阿贝贝.贝克拉 , 曹易
Abstract: 本公开提供了一种基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元，包括：衬底、缓冲层、自旋轨道耦合层和磁隧道结层；自旋轨道耦合层的材料为产生相反自旋流的包含重金属元素的二元或多元合金材料；磁隧道结层形成于自旋轨道耦合层上；磁隧道结层包括磁自由层，所述磁自由层形成于所述自旋轨道耦合层上；在所述自旋轨道耦合层施加脉冲电流，所述自旋轨道耦合层产生相反自旋流，通过所述相反自旋流诱导所述磁隧道结中的所述磁自由层的磁矩发生180°定向翻转。本公开不再使用高密度电流通入隧穿结实现磁自由层磁化翻转的方式，通过自旋轨道耦合层中产生的相反自旋流，由自旋轨道矩诱导磁自由层磁矩发生定向翻转。
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公开(公告)号：CN110232939B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN110232939A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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