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公开(公告)号：CN113488583B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202110770061.6
申请日：2021-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器，应用于数据存储技术领域，包括：两个电磁部，用于接入电流，磁记录部，设置在该两个电磁部之间，该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结，该自旋轨道耦合层，用于在该电流的作用下，产生自旋流，该两个电磁部，还用于在该自旋流的作用下，产生两个磁矩指向相反的磁畴，该磁性隧道结，用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁，钉扎区，设置在每个该电磁部与该磁记录部之间，截断区，设置在每个所述电磁部，位于与所述钉扎区相对的一侧，该磁性隧道结，还用于在该自旋流的作用下，驱动该磁畴壁进行往复运动，实现磁矩的定向反转，该电磁部还用于在该电流的作用下，使磁畴壁在其中湮灭。
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公开(公告)号：CN110232939B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN110232939A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN114122052A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409016.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法，该存储器的结构包括衬底；磁记录部包括：自旋轨道耦合层，设置在衬底上；磁性隧道结，设置在自旋轨道耦合层上；两个电磁部，包括第一电磁部和第二电磁部，分别形成于磁记录部的两端；第一电磁部包括相互垂直的第一端部和第二端部；第二端部由磁记录部的一端延伸形成；第二电磁部包括相互垂直的第三端部和第四端部；第四端部由所述磁记录部的另一端延伸形成。
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公开(公告)号：CN113488583A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110770061.6
申请日：2021-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器，应用于数据存储技术领域，包括：两个电磁部，用于接入电流，磁记录部，设置在该两个电磁部之间，该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结，该自旋轨道耦合层，用于在该电流的作用下，产生自旋流，该两个电磁部，还用于在该自旋流的作用下，产生两个磁矩指向相反的磁畴，该磁性隧道结，用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁，钉扎区，设置在每个该电磁部与该磁记录部之间，截断区，设置在每个所述电磁部，位于与所述钉扎区相对的一侧，该磁性隧道结，还用于在该自旋流的作用下，驱动该磁畴壁进行往复运动，实现磁矩的定向反转，该电磁部还用于在该电流的作用下，使磁畴壁在其中湮灭。
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