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公开(公告)号：CN111690985A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910189262.X
申请日：2019-03-13
申请人： 中国科学院上海高等研究院 , 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种量子点掺杂的硫化亚铜多晶材料及其制备方法，制备包括如下步骤：1)提供铜粉和硫粉作为初始原料；2)于所述初始原料中添加量子点，构成粉体原料；3)加入助研剂，并进行混合球磨，以形成粉体合成原料；4)利用射频感应热压设备对所述粉体合成原料进行热压，获得片状块体结构的量子点掺杂的硫化亚铜多晶材料，通过上述方案，本发明使用球磨法合成掺杂量子点的硫化亚铜粉体，结合射频感应热压烧结方法，合成的片状块体材料可有效地降低硫化亚铜多晶材料热导率，提高其热电性能。
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公开(公告)号：CN111689512A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910189274.2
申请日：2019-03-13
申请人： 中国科学院上海高等研究院 , 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法，Cu-S基热电材料的化学通式为2*(1-y)Cu2S+yCuInS2，其中0.002≤y≤0.10。本发明利用三步法球磨，通过合理地设置球磨参数和掺杂元素含量，实现了在Cu-S基热电材料中原位引入均匀分散的纳米第二相，在合适的温度压力下利用射频感应热压设备快速烧结后，形成致密的块体材料，均匀分散的第二相纳米晶粒依然存在，且与基体之间具有共格及半共格关系，使得载流子顺利通过而不影响电学性能，而声子受到剧烈散射而导致热导率大幅降低，从而使材料具有优异的热电性能，且这类第二相纳米晶界的存在，阻碍了Cu离子的长程扩散，使得材料的热稳定性得到增强。本发明的制备工艺简单，易于大量生产，具有良好的可控性。
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公开(公告)号：CN111690985B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910189262.X
申请日：2019-03-13
申请人： 中国科学院上海高等研究院 , 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种量子点掺杂的硫化亚铜多晶材料及其制备方法，制备包括如下步骤：1)提供铜粉和硫粉作为初始原料；2)于所述初始原料中添加量子点，构成粉体原料；3)加入助研剂，并进行混合球磨，以形成粉体合成原料；4)利用射频感应热压设备对所述粉体合成原料进行热压，获得片状块体结构的量子点掺杂的硫化亚铜多晶材料，通过上述方案，本发明使用球磨法合成掺杂量子点的硫化亚铜粉体，结合射频感应热压烧结方法，合成的片状块体材料可有效地降低硫化亚铜多晶材料热导率，提高其热电性能。
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公开(公告)号：CN110371956B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910745133.4
申请日：2019-08-13
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/16 , C01B32/194
摘要： 本发明提供一种氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜及其制备方法。所述制备方法包括步骤：1)提供基底，将基底置于气相沉积设备中；2)将六次甲基四胺固体置于气相沉积设备中，对六次甲基四胺固体进行加热分解，并在还原性气体氛围中采用低压化学气相沉积工艺于基底表面形成氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜。本发明以廉价的六次甲基四胺为唯一碳氮源，采用低压化学气相沉积一步法得到了氮掺杂的碳纳米管/石墨烯复合薄膜。该制备方法具有设备和工艺步骤简单、原材料廉价易得等优点。基于本发明的制备方法制备而成的碳纳米管/石墨烯复合薄膜中的碳纳米管具有高取向性，各个碳纳米管之间相互独立，分布均匀，薄膜性能显著提升。
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公开(公告)号：CN107058080B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710144722.8
申请日：2017-03-13
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： C12M1/34
摘要： 本发明公开了基于喷墨打印的数字PCR芯片及其制备方法。该数字PCR芯片通过如下方法制得：通过在平板基片表面涂覆紫外固化胶或者将平板基片置于0℃以下的环境中，使得在利用喷墨打印方法对平板基片进行液滴阵列打印时，液滴阵列能够固定在平板基片上，最后通过覆盖密封材料进行密封制得数字PCR芯片。本发明的数字PCR芯片在利用喷墨打印方法对平板基片进行液滴阵列打印时，实现液滴样本的精确分割和精准定位，不需要事先制作任何复杂的结构便可以简单快速地在平板基片上形成液滴单元并将液滴的位置固定，形成稳定的液滴阵列。
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公开(公告)号：CN107610802B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610542566.6
申请日：2016-07-11
申请人： 中国科学院上海高等研究院
摘要： 本发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法，包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于目标结构表面；透明导电聚合物填充层，填充于银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点；通过对银纳米线薄膜层进行亲水处理使得透明导电聚合物填充层能够在其上均匀涂布；并且通过透明导电聚合物填充层与石墨烯薄膜的覆盖，在保证透明导电薄膜高透过率、高导电性的同时，有效地降低了其表面的粗糙度；同时所述透明导电薄膜还具备可弯曲特性，在柔性衬底上制备上述透明导电薄膜经过数次弯曲后，透过率与方块电阻均无明显变化，表现出替代ITO用于光电器件、尤其是应用于柔性光电器件的极大潜力。
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公开(公告)号：CN109950134A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910208949.3
申请日：2019-03-19
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种具有氧化物薄膜的结构及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化物薄膜，氧化物薄膜的至少一表面形成有氧原子扩散阻挡层。本发明通过在氧化物薄膜的至少一表面形成氧原子扩散阻挡层，可以避免氧化物薄膜与衬底或金属电极直接接触，保证氧化物薄膜中的氧原子不会被衬底或金属电极夺取，确保氧化物薄膜的导电率、功函数及折射率等性质不会发生变化，从而确保器件的功能，确保器件不会失效。
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公开(公告)号：CN105926014B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610293310.6
申请日：2016-05-05
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： C25D11/02
摘要： 本发明提供一种基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法，所述制备方法至少包括：首先，将母模板的微纳米尺寸有序结构复制到硅胶软模板上，同时提供金属基底，并对所述金属基底进行预处理；然后在所述金属基底表面涂覆紫外固化胶，利用所述硅胶软模板对所述紫外固化胶进行纳米压印处理，脱除所述硅胶软模板后，所述紫外固化胶上形成有微纳米尺寸有序结构；接着以紫外固化胶为掩膜版，采用刻蚀工艺将所述微纳米尺寸有序结构转移至所述金属基底上，去除剩余的紫外固化胶；再采用阳极氧化法在所述金属基底表面制备形成多孔氧化膜。本发明的制备方法可制备大面积HOAAO、HOATO等氧化膜，该方法高效便捷、成本低。
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公开(公告)号：CN109037362A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810722133.8
申请日：2018-07-04
申请人： 中国科学院上海高等研究院 , 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/074
摘要： 本发明提供一种用于异质结太阳电池的透明导电层及异质结太阳电池，所述透明导电层包括：导电聚合物层，所述导电聚合物层包括相对的第一表面及第二表面；一维导电材料，位于所述导电聚合物层相对两表面的至少一表面，或包覆于所述导电聚合物层内部。本发明减少甚至避免了稀有价高的铟元素的使用，可以显著降低生产成本；工艺简单，不需要价高的真空设备，无需高温过程，更适合于异质结电池；同时，本发明的透明导电层的光透过率与现有的氧化铟基薄膜相当，且具有较高的电导率，可以降低金属电极浆料的消耗；相较于现有的氧化铟基薄膜成本更加低廉，机械性能更好，可以广泛应用到柔性器件当中。
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公开(公告)号：CN108242420A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611228446.5
申请日：2016-12-27
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
摘要： 本发明提供一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法，所述制备方法至少包括：首先，提供一硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成硅柱阵列；其次，于所述硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；然后，去除所述硅柱阵列顶部的阻挡层，暴露出的所述硅柱阵列顶部作为后续生长的籽晶；接着于所述籽晶表面选择性外延生长缓冲层；接着在所述缓冲层表面选择性外延生长形成连续的GaN薄膜层；最后剥离转移所述GaN薄膜层，余留的硅衬底及硅柱阵列供所述步骤4)循环使用。通过本发明的制备方法可以实现高质量、大面积、低成本GaN单晶薄膜的制备，从而促进GaN电子器件的工业应用。
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