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公开(公告)号：CN104987099A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510348735.8
申请日：2015-06-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种三维双轴向衬纱间隔针织物增强陶瓷基体结构材料及其制备方法，所述材料包括三维预成型体、以及填充三维预成型体的陶瓷基体，其中，三维预成型体包括上表面织物、下表面织物、以及位于上下表面织物之间的间隔织物。
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公开(公告)号：CN102373348A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010259433.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及p型方钴矿材料及其制备方法，提供了一种p型方钴矿材料，其组成如下式所述：IyFe4-xMxSb12/z(Φ)式中，I为一种或多种在方钴矿相中的填充原子，其总填充量y满足0.01≤y≤1；M为一种或多种掺杂原子，其掺杂量x满足0≤x＜4；Φ是一种或多种第二相，其摩尔比z满足0≤z≤0.5，其中，第二相沉积物分散在方钴矿相中。本发明还提供了一种制备p型方钴矿材料的方法。
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公开(公告)号：CN102031416A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910196619.3
申请日：2009-09-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
CPC classification number: C01G51/006 , B82Y30/00 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01L35/18 , H01L35/20 , Y10S977/779 , Y10S977/784
Abstract: 本发明提供了一种复合材料，所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体；IyCo4Sb12 (I)，其中，I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种，0.05≤y＜1，所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒，其中所述复合材料中含有0.05-5mol％的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言，材料的Seebeck系数大幅度提高，总热导率略有下降，热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高，材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101519800A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910046367.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法，包括步骤1)制备Ba8Ga16Ge30粉末相：将Ba、Ga、Ge单质按化学计量比混合均匀，真空状态下在1100℃下加热12－15小时，然后缓慢降到室温，酸洗后得到纯相的Ba8Ga16Ge30；2)使用熔体提拉法生长Ba8Ga16Ge30单晶：将步骤1)得到的Ba8Ga16Ge30粉末置于Al2O3坩埚中，然后在提拉式单晶炉内反复抽真空、充气后，升温至1050～1100℃恒温1～3小时，然后降至950～980℃，待温度平衡后，采用定向籽晶，下籽晶，并恒温1～2小时；以1～5℃/h的速度缓慢降温，同时晶体以20～50转/分的速度转动，以1～6mm/h的速度提拉晶体。待晶体生长到所需尺寸，将晶体提离液面，即得到Ba8Ga16Ge30单晶。可以获得高质量的单晶，生长速度较快。
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公开(公告)号：CN102881814B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110194902.X
申请日：2011-07-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
CPC classification number: C01G51/006 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明涉及空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法，提供了一种空穴补偿型方钴矿热电材料，其组成如下式所述：RyA4-xBxSb12/z NC式中，0.01≤x≤0.5，0.01≤y≤1，0％≤z≤10％；R是至少一种选自下组的元素：Ca、Ba、La、Ce、Pr、Nd和Yb；A是至少一种选自下组的元素：Fe、Co和Ni；B是至少一种选自下组的过渡金属元素：Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Mo、Tc和Ru，使得元素B的电子数少于元素A的电子数；NC是第二相，其中z是所述热电材料中第二相的摩尔％。本发明还提供了一种制备空穴补偿型方钴矿热电材料的方法。
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公开(公告)号：CN102881814A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110194902.X
申请日：2011-07-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
CPC classification number: C01G51/006 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01L35/18
Abstract: 本发明涉及空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法，提供了一种空穴补偿型方钴矿热电材料，其组成如下式所述：RyA4-xBxSb12/z NC式中，0.01≤x≤0.5，0.01≤y≤1，0％≤z≤10％；R是至少一种选自下组的元素：Ca、Ba、La、Ce、Pr、Nd和Yb；A是至少一种选自下组的元素：Fe、Co和Ni；B是至少一种选自下组的过渡金属元素：Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Mo、Tc和Ru，使得元素B的电子数少于元素A的电子数；NC是第二相，其中z是所述热电材料中第二相的摩尔％。本发明还提供了一种制备空穴补偿型方钴矿热电材料的方法。
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公开(公告)号：CN102031416B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910196619.3
申请日：2009-09-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
IPC: H01L35/18
CPC classification number: C01G51/006 , B82Y30/00 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01L35/18 , H01L35/20 , Y10S977/779 , Y10S977/784
Abstract: 本发明提供了一种复合材料，所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体；IyCo4Sb12 (I)，其中，I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种，0.05≤y＜1，所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒，其中所述复合材料中含有0.05-5mol％的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言，材料的Seebeck系数大幅度提高，总热导率略有下降，热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高，材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。
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公开(公告)号：CN102373348B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010259433.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
Abstract: 本发明涉及p型方钴矿材料及其制备方法，提供了一种p型方钴矿材料，其组成如下式所述：IyFe4-xMxSb12/z(Φ)式中，I为一种或多种在方钴矿相中的填充原子，其总填充量y满足0.01≤y≤1；M为一种或多种掺杂原子，其掺杂量x满足0≤x＜4；Φ是一种或多种第二相，其摩尔比z满足0≤z≤0.5，其中，第二相沉积物分散在方钴矿相中。本发明还提供了一种制备p型方钴矿材料的方法。
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