-
公开(公告)号：CN102398919A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275610.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种金红石相二氧化钒的制备方法，包括以下步骤：1）将碱金属元素Li插入具有层片状结构的V2O5的C轴层间，控制Li的插层量至2molLi/1molV2O5；2）将步骤1）所得插层后产物在非氧化性酸溶液中浸泡，使得酸溶液中的氢离子取代所述插层后产物中的锂离子，然后洗涤并干燥；3）将步骤2）中干燥后的产物在真空或非氧化性保护气体气氛下，于600～1000℃进行热处理，得到金红石相VO2。本发明提供的上述方法可实现VO2的大产量高效率制备，操作安全简便，过程可控，易于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN100583478C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710047055.8
申请日：2007-10-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种π型CoSb3基热电转换器件，它主要包括：高温端Mo-Cu合金电极(1)，高温端焊接层(2)，扩散阻挡层(3，5)，热电脚(4)，金属层(6)，低温焊接层(7)，低温端电极(8)。其中，热电脚(4)为P型和N型CoSb3基热电材料，它们通过高温端焊接层(2)与Mo-Cu合金电极(1)连成一体形成高温端，P型和N型热电脚的低温端则由低温端金属层(6)、低温端焊接层(7)与低温端电极(8)连接。本发明特征在于利用SPS快速焊接工艺，使高温端无明显的裂纹存在，最大程度实现热匹配，减少了由于热失配产生的热应力。
-
公开(公告)号：CN100524867C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710044771.0
申请日：2007-08-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种锑化钴基热电器件的制造方法，其特征在于首先用SPS方法制备出单对或多对P-N的热电块体翻转90°，通过在热电块体上等离子喷涂一扩散阻挡薄层，可有效的阻挡热电半导体器件组成多个元素的扩散，同时扩散阻挡层的使用将使热电半导体与金属电极之间的连接转化为金属与金属的连接过程，使得器件的焊接更加简便。采用的近共晶的Ag-Cu焊片不仅单单能够满足锑化钴基热电器件高温端500-600℃的温度使用范围，更为其它中温热电材料器件的制备提供了良好的焊接材料，而电极材料选用与锑化钴热膨胀系数相近的Mo-Cu合金材料，最大程度的实现了热匹配，减少了因热失配而产生的热应力。
-
公开(公告)号：CN101136450A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710047055.8
申请日：2007-10-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种π型CoSb3基热电转换器件，它主要包括：高温端Mo－Cu合金电极(1)，高温端焊接层(2)，扩散阻挡层(3，5)，热电脚(4)，金属层(6)，低温焊接层(7)，低温端电极(8)。其中，热电脚(4)为P型和N型CoSb3基热电材料，它们通过高温端焊接层(2)与Mo－Cu合金电极(1)连成一体形成高温端，P型和N型热电脚的低温端则由低温端金属层(6)、低温端焊接层(7)与低温端电极(8)连接。本发明特征在于利用SPS快速焊接工艺，使高温端无明显的裂纹存在，最大程度实现热匹配，减少了由于热失配产生的热应力。
-
公开(公告)号：CN1048569A
公开(公告)日：1991-01-16
申请号：CN89104593.7
申请日：1989-07-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 均质掺镁铌酸锂(MgO：LiNbO3)单晶的生长属于单晶生长领域。本发明的特征是：按三元摩尔总量等于100％计算，使用Li2O/Nb2O5＝(47.2±0.3)/(52.8∴0.3)(摩尔比)，MgO含量为4.0-7.0摩尔％的MgO：LiMbO3均质组成，在1220℃～1270℃的炉温下，以1～3毫米/小时的提拉速度，10～25转/分钟的旋转速度，用提拉法生长MgO：LiNbO3单晶体。经极化处理后所获得的晶体具有良好的光学均匀性。采用本方法生长的MgO：LiNbO3单晶，无生长条纹和包裹体等宏观缺陷，具有良好的化学组成均匀性。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN103160910A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110415867.X
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法，包括：按8.24～8.4：16：30的摩尔比配制Ba、Ga和Ge单质，置于石墨坩埚中抽真空封装于真空炉中，1100～1200℃下保温9～12小时，缓慢冷却至室温，得纯相Ba8Ga16Ge30多晶体；以及将纯相Ba8Ga16Ge30多晶体研磨成粉末，置于石墨坩埚、密封、放入坩埚下降炉中，抽真空，缓慢升温至1100～1200℃保温2～3小时使其全部熔融，以0.1～6.0mm/小时的坩埚下降速率调整石墨坩埚位置以使晶体生长的固液界面的温度梯度控制在20～60℃/cm进行单晶生长。采用坩埚下降法，可根据坩埚的形状和尺寸获得多种尺寸和形状的晶体。
-
-
公开(公告)号：CN107743732B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200610056550.0
申请日：2006-07-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用旋转磁场主动控制生长高品质单晶的装置及其方法，属于微重力材料科学领域。本发明装置包括旋转磁场发生器(1)，单晶炉(2)，样品下降机构(3)，单晶生长样品(4)及电控单元(5)等部件，方法是将单晶炉(2)安放于旋转磁场发生器(1)中，开启电控单元(5)，开启磁场发生器(1)产生旋转磁场，启动样品下降机构(3)控制单晶生长，电控单元控制单晶炉控温工艺曲线。本发明采用地面等效微重力效应下的单晶生长，生长成本可大大降低，同时这种等效微重力持续时间可以无限延长，因而不但适合各类功能单晶的产业化生产，而且可望提高航天、国防等军工领域急需的某些关键性技术材料的品质，为推动我国航天、国防等重要技术领域的发展具有重要的现实意义。
-
公开(公告)号：CN100552999C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710037778.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及与锑化钴基热电材料相匹配的合金电极(导流片)及其锑化钴基热电元件的一步法连接工艺。其特征在于所述的合金电极为Mo-Cu系列合金，优点在于可以自由设计相应的热膨胀系数(CTE)，达到与热电材料很好的热匹配。采用的电极材料为厚度0.5-3mm的钼铜合金片。其制备特征是采用一步法烧结连接而成，钼铜合金电极材料与锑化钴热电材料通过采用粒径在30-75μm的金属Ti的过渡层利用放电等离子烧结(SPS)连接而成。由于钼铜合金电极电导率高，且热膨胀系数与锑化钴基热电材料非常接近，使得界面结合非常稳定，且接合面无明显的电阻跃迁，制备工艺简单，成本也较单一Mo电极低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.037 seconds)
