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公开(公告)号：CN102928089B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210431102.X
申请日：2012-11-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本专利公开了一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN102353456B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110252360.7
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/02
摘要： 本专利公开了一种红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置及实现方法。红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置由单向电磁针阀和带三通杜瓦排气管的红外探测器杜瓦组件组成。本专利在单向电磁针阀和三通杜瓦排气管等方面引入特定的结构和实现方法，来实现了红外探测器杜瓦组件地面使用时获得5年以上的真空寿命，在轨时可以获得无限长真空寿命且不增加制冷机功耗，从而有利于红外探测器杜瓦组件在轨应用的高可靠性。本专利同样适用于其它航天用真空腔体在轨真空处理的结构和实现方法。
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公开(公告)号：CN102928087A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210429054.0
申请日：2012-11-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/02
CPC分类号： G01J5/046 , G01J5/0853
摘要： 本发明公开了一种光谱平坦的探测器用吸收层结构及其制备方法，吸收层自上而下由第一金属层、第二金属层和第三金属层组成。其特征在于：第一金属层是膜厚为方块电阻9.5Ω/□-10.0Ω/□的铬镍合金层，第二金属层为膜厚为75nm-85nm的金属镍，第三金属层是18nm-22nm的金属铬。其制造工艺包括：采用光刻图形化、热蒸发和离子束溅射的工艺技术制备平坦的宽光谱吸收层。采用此工艺方法制备吸收层工艺简单，和标准半导体工艺兼容，利于工艺整合，适用于单元、线列及面阵探测器。这种吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极，适合作为热红外探测器的吸收层。
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公开(公告)号：CN102353456A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252360.7
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/02
摘要： 本发明公开了一种红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置及实现方法。红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置由单向电磁针阀和带三通杜瓦排气管的红外探测器杜瓦组件组成。本发明在单向电磁针阀和三通杜瓦排气管等方面引入特定的结构和实现方法，来实现了红外探测器杜瓦组件地面使用时获得5年以上的真空寿命，在轨时可以获得无限长真空寿命且不增加制冷机功耗，从而有利于红外探测器杜瓦组件在轨应用的高可靠性。本发明同样适用于其它航天用真空腔体在轨真空处理的结构和实现方法。
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公开(公告)号：CN102928089A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210431102.X
申请日：2012-11-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN202885979U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220571665.4
申请日：2012-11-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本专利公开了一种非制冷热释电线列焦平面，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN202229845U
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201120320593.1
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/02
摘要： 本实用新型公开了一种红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置。红外探测器杜瓦组件空间在轨真空处理装置由单向电磁针阀和带三通杜瓦排气管的红外探测器杜瓦组件组成。本实用新型在单向电磁针阀和三通杜瓦排气管等方面引入特定的结构和实现方法，来实现了红外探测器杜瓦组件地面使用时获得5年以上的真空寿命，在轨时可以获得无限长真空寿命且不增加制冷机功耗，从而有利于红外探测器杜瓦组件在轨应用的高可靠性。本实用新型同样适用于其它航天用真空腔体在轨真空处理的结构和实现方法。
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公开(公告)号：CN202956191U
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201220571747.9
申请日：2012-11-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J5/02
CPC分类号： G01J5/046 , G01J5/0853
摘要： 本专利公开了一种光谱平坦的探测器用吸收层结构，吸收层自上而下由第一金属层、第二金属层和第三金属层组成。其特征在于：第一金属层是方块电阻9.5Ω/□-10.0Ω/□的铬镍合金层，第二金属层为膜厚为75nm-85nm的金属镍，第三金属层是膜厚为18nm-22nm的金属铬。其制造工艺包括：采用光刻图形化、热蒸发和离子束溅射的工艺技术制备平坦的宽光谱吸收层。采用此工艺方法制备吸收层工艺简单，和标准半导体工艺兼容，利于工艺整合，适用于单元、线列及面阵探测器。这种吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极，适合作为热红外探测器的吸收层。
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