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公开(公告)号：CN107290053A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710388178.1
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: G01J3/2803 , G01J3/0256 , G01J2003/2833
Abstract: 本发明公开了一种基于线性渐变滤光片的微型长波近红外物联网节点。它包括线性渐变滤光片、线列铟镓砷焦平面探测器、探测器驱动电路、光谱数据采集电路、无线通信模块和锂电池。将线性渐变滤光片与线列铟镓砷焦平面探测器的光敏芯片耦合，作为分光部件替代光栅，省去入射光纤。利用光谱数据采集电路和无线通信模块实现0.9-1.7μm波段光谱数据的无线采集。线列铟镓砷焦平面探测器响应的长波近红外波段，相比CMOS近红外传感器的短波近红外区域，有更高的科研应用价值。本发明简化光学系统结构，利用无线通信和锂电池避免数据线和电源线带来的使用不便，实现长波近红外物联网节点的微型化，为物联网向长波近红外光谱分析领域扩展提供技术支持。
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公开(公告)号：CN101251422A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035499.4
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种紫外辐射电学定标热释电探测器，包括：悬空封装在金属管壳内的芯片，该芯片由热释电晶片，在整个热释电晶片的上表面依次沉积金属上电极层、聚酰亚胺绝缘屏蔽层、既能吸收紫外辐射又能通过导电加热的多壁碳纳米管薄膜，在热释电晶片的下表面沉积有信号电极层组成。本发明的最大优点为采用多壁碳纳米管作为紫外导电吸收膜，与目前已有专利中采用金黑导电吸收膜相比，更能高效吸收紫外辐射，具有更好的导热性能，增强光电等效性，减小定标误差，而且多壁碳纳米管薄膜性能稳定。采用聚酰亚胺作为绝缘屏蔽层，能与微电子工艺兼容，薄膜的厚度和均匀性能准确控制，而且具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN102928089B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210431102.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN102928087A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210429054.0
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/046 , G01J5/0853
Abstract: 本发明公开了一种光谱平坦的探测器用吸收层结构及其制备方法，吸收层自上而下由第一金属层、第二金属层和第三金属层组成。其特征在于：第一金属层是膜厚为方块电阻9.5Ω/□-10.0Ω/□的铬镍合金层，第二金属层为膜厚为75nm-85nm的金属镍，第三金属层是18nm-22nm的金属铬。其制造工艺包括：采用光刻图形化、热蒸发和离子束溅射的工艺技术制备平坦的宽光谱吸收层。采用此工艺方法制备吸收层工艺简单，和标准半导体工艺兼容，利于工艺整合，适用于单元、线列及面阵探测器。这种吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极，适合作为热红外探测器的吸收层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102928089A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210431102.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN202885979U
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201220571665.4
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种非制冷热释电线列焦平面，通过设计光敏元及电极的大小和结构，将光敏芯片的延伸电极区和与光敏芯片大小匹配的衬底粘结在一起，使光敏元区处于悬空状态。相邻光敏元之间刻蚀形成隔热槽，可以减小光敏元之间的热导，降低串音。读出电路根据热释电光敏芯片特性参数设计，采用电流积分形式的读出放大电路，输入级和热释电光敏芯片一一对应。非制冷热释电线列焦平面采用混成式结构，热释电光敏芯片和读出电路通过引线键合工艺互联耦合，采用金属管壳封装。非制冷热释电线列焦平面的制造工艺包括光敏芯片的减薄、损伤缺陷去除、电极成形、吸收层制备和引线键合等工艺技术。
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公开(公告)号：CN202956191U
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201220571747.9
申请日：2012-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/046 , G01J5/0853
Abstract: 本专利公开了一种光谱平坦的探测器用吸收层结构，吸收层自上而下由第一金属层、第二金属层和第三金属层组成。其特征在于：第一金属层是方块电阻9.5Ω/□-10.0Ω/□的铬镍合金层，第二金属层为膜厚为75nm-85nm的金属镍，第三金属层是膜厚为18nm-22nm的金属铬。其制造工艺包括：采用光刻图形化、热蒸发和离子束溅射的工艺技术制备平坦的宽光谱吸收层。采用此工艺方法制备吸收层工艺简单，和标准半导体工艺兼容，利于工艺整合，适用于单元、线列及面阵探测器。这种吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极，适合作为热红外探测器的吸收层。
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公开(公告)号：CN2050215U
公开(公告)日：1989-12-27
申请号：CN87200203
申请日：1987-01-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G12B13/00
Abstract: 本实用新型公开了一种电校型热释电探测器。它是在普通热释电探测器基础上，将上电极做成方阻值一定并且稳定的电学加热层。在电学加热层上可施加一定频率的固定电功率，以及用此探测器作传感器的各种测量系统进行检验、校正读数，从而提高系统的稳定性和准确度。
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公开(公告)号：CN85205071U
公开(公告)日：1987-06-03
申请号：CN85205071
申请日：1985-11-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本实用新型公开了一种改进隔离绝缘层结构的电学定标热释电探测器，它是在热释电基片的满电极上用不同方法和材料沉积一层很薄的绝缘材料作绝缘层。这样使得隔离绝缘层对探测器热性能的影响减小到完全可以忽略，提高了电学定标热释电探测器的响应率与有效面积上的响应均匀性。
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