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公开(公告)号：CN112306140B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910672410.3
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路，包括：电流源或电流沉，提供源电流或沉电流；电流镜，用于镜像源电流或沉电流；负载晶体管，源极连接电源电压或地，漏极连接电流镜的输出端，栅极及背栅连接所述负载晶体管的漏极并产生背栅偏置电压。本发明利用全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)全介质隔离的特点，将背栅引入电路工作回路中，通过镜像电源的作用使得电路自适应的工作在饱和区并产生对应的背栅工作电压；由于电路的完全对称和背栅绝缘特性，可以使器件拥有工作在指定的宽长比的能力；本发明可以使电路设计者拥有改变已生成器件工作特性的方法，同时极大的解决了SOI体偏置电压设定复杂和代价高昂的问题。
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公开(公告)号：CN112306140A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910672410.3
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路，包括：电流源或电流沉，提供源电流或沉电流；电流镜，用于镜像源电流或沉电流；负载晶体管，源极连接电源电压或地，漏极连接电流镜的输出端，栅极及背栅连接所述负载晶体管的漏极并产生背栅偏置电压。本发明利用全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)全介质隔离的特点，将背栅引入电路工作回路中，通过镜像电源的作用使得电路自适应的工作在饱和区并产生对应的背栅工作电压；由于电路的完全对称和背栅绝缘特性，可以使器件拥有工作在指定的宽长比的能力；本发明可以使电路设计者拥有改变已生成器件工作特性的方法，同时极大的解决了SOI体偏置电压设定复杂和代价高昂的问题。
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公开(公告)号：CN113095037B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202110343014.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明提供了一种MOS器件闪烁噪声模型及提取方法，提取方法包括：设计不同尺寸的MOS器件结构，并根据各个MOS器件的尺寸将所有MOS器件划分为第一MOS器件和第二MOS器件；测量不同尺寸的MOS器件的闪烁噪声数据；建立基本的闪烁噪声模型；对所述第一MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合；建立引入与器件宽度相关的修正函数的闪烁噪声模型；对所述第二MOS器件的闪烁噪声特性进行曲线拟合；对所述第二MOS器件的闪烁噪声模型进行验证。本发明在原有噪声模型的基础上，通过引入与MOS器件长度和宽度相关的修正函数，提高了小尺寸MOS器件闪烁噪声模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下器件的实际噪声特性。
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公开(公告)号：CN108021777B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201711464504.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种闪烁噪声统计模型及其提取方法，通过在原有的统计模型基础上，加入不同类型和不同栅氧厚度器件相关性统计与闪烁噪声对器件统计系数的影响系数，从而使得可以通过调整闪烁噪声的统计模型参数，使调整后的闪烁噪声统计模型更准确表征与器件闪烁噪声的关系。
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公开(公告)号：CN112949241A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110354884.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种电阻失配模型及提取方法，提取方法包括：设计不同尺寸的电阻失配对，根据电阻器件的尺寸将电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对；测量电阻失配对的电阻失配值；建立基本的电阻失配模型；对第一失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后，建立引入与电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型；依次对第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后得到电阻失配模型，并对电阻失配模型进行验证。本发明在原有电阻失配模型的基础上，通过引入与电阻尺寸相关的修正函数，提高了电阻失配模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下电阻失配对的实际失配特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106446476A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611053506.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 本发明公开了一种通用版图临近效应表征模型及其提取方法，该方法包括如下步骤：设计LPE模型的器件结构；测量与LPE模型相关的数据；引入与陪衬多晶硅尺寸相关的函数，建立LPE模型；调整所建立的LPE模型的参数，对与陪衬多晶硅尺寸相关的LPE模型进行曲线拟合；若拟合结果满足要求，则对所建立的LPE模型进行模型验证；本发明通过调整与陪衬多晶硅尺寸相关的参数，可以使得该模型更准确表征与器件在不同周边环境下的特性，从而建立更为精确且更实用的模型。
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公开(公告)号：CN105260538A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510663043.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种SRAM单元建模方法，通过在对SRAM单元相关电性参数进行测量之后，对相关电性参数进行拟合以提取SRAM单元的模型参数；然后对测量条件、电性参数和模型参数进行描述以形成SRAM单元的模型。本发明由于只须测量SRAM单元的电性参数，无须对SRAM单元内上拉晶体管、下拉晶体管和传输晶体管进行大量的电学参数测量，因此测量任务大大减小。同时也提高了SRAM单元模型参数提取的速度，使得建模流程更加简便、快捷。且由于SRAM单元模型只包括了与集成电路设计者所关心的SRAM单元特性相关的参数，有利于集成电路设计者的电路设计、仿真。
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公开(公告)号：CN105226054A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510623395.5
申请日：2015-09-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种通用失配模型及其提取方法，该方法包括如下步骤：步骤一，设计失配模型的器件结构并加工生产；步骤二，测量按失配模型生产的器件的数据，得到表征器件性能的参数；步骤三，在固定某一参数下建立及修改该失配模型的函数；步骤四，调整失配函数的系数进行拟合；步骤五，判断仿真结果与数据拟合是否OK。如否，则返回步骤四，如是，则进入步骤六；步骤六，进行模型检验；本发明的失配模型能和实际的器件测量曲线拟合更为准确，可以很大程度上提高器件失配模型精度。
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公开(公告)号：CN105138803A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510623429.0
申请日：2015-09-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种考虑温度效应的通用失配模型及其提取方法，该方法包括如下步骤：步骤一，设计失配模型的器件结构；步骤二，测量与器件尺寸、工作温度相关的失配模型数据；步骤三，建立及修改尺寸相关的器件失配模型；步骤四，对尺寸相关的失配模型进行曲线拟合；步骤五，判断仿真结果与数据拟合是否OK？如否，则返回步骤三，如是，则进入步骤六；步骤六，建立及修改温度相关的器件失配模型；步骤七，对温度相关的失配模型进行曲线拟合；步骤八，判断仿真结果与数据拟合是否OK？如否，则返回步骤六，如是，则进入步骤九；步骤九，进行失配模型验证；本发明可以很好地拟合不同温度下的特性曲线，可建立更为精准且实用性更广的器件失配模型。
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公开(公告)号：CN104021239A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410164079.1
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种采用温度模型进行曲线拟合的方法，涉及半导体特性表征或建模领域。该方法为：分别测量器件在预设温度范围内的各种特性曲线；根据所述特性曲线，计算各种特性指标的温度系数；根据所述温度系数建立温度效应模型；根据所述温度效应模型对所述器件的特性曲线进行曲线拟合，获得曲线拟合精度；判断拟合后的曲线拟合精度是否在所述器件的测试特性曲线预设精度范围内，若是，结束；若否，则调整所述温度系数建立温度效应模型。本发明通过对测量器件在预设温度范围内的特性曲线，使得器件在温度为:-40℃～125℃下的器件曲线拟合更为准确,大幅度提高器件模型在高低温条件下工作的精度。
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