公开(公告)号：CN112306140B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201910672410.3

申请日：2019-07-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈静 ,  葛浩 ,  田明 ,  商干兵 ,  卢剑萍

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路，包括：电流源或电流沉，提供源电流或沉电流；电流镜，用于镜像源电流或沉电流；负载晶体管，源极连接电源电压或地，漏极连接电流镜的输出端，栅极及背栅连接所述负载晶体管的漏极并产生背栅偏置电压。本发明利用全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)全介质隔离的特点，将背栅引入电路工作回路中，通过镜像电源的作用使得电路自适应的工作在饱和区并产生对应的背栅工作电压；由于电路的完全对称和背栅绝缘特性，可以使器件拥有工作在指定的宽长比的能力；本发明可以使电路设计者拥有改变已生成器件工作特性的方法，同时极大的解决了SOI体偏置电压设定复杂和代价高昂的问题。

公开(公告)号：CN112306140A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910672410.3

申请日：2019-07-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈静 ,  葛浩 ,  田明 ,  商干兵 ,  卢剑萍

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路，包括：电流源或电流沉，提供源电流或沉电流；电流镜，用于镜像源电流或沉电流；负载晶体管，源极连接电源电压或地，漏极连接电流镜的输出端，栅极及背栅连接所述负载晶体管的漏极并产生背栅偏置电压。本发明利用全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)全介质隔离的特点，将背栅引入电路工作回路中，通过镜像电源的作用使得电路自适应的工作在饱和区并产生对应的背栅工作电压；由于电路的完全对称和背栅绝缘特性，可以使器件拥有工作在指定的宽长比的能力；本发明可以使电路设计者拥有改变已生成器件工作特性的方法，同时极大的解决了SOI体偏置电压设定复杂和代价高昂的问题。