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公开(公告)号：CN119764203A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411893106.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种介电层厚度的测量方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，包括第一图形区域和第二图形区域，其中，第一图形区域和第二图形区域上形成有经过减薄处理的介电层；测量第一图形区域上介电层的厚度得到第一厚度，并测量第一图形区域和第二图形区域之间介电层的厚度差得到台阶厚度；基于第一厚度和台阶厚度的差值，得到第二图形区域上介电层的厚度。通过本发明提供的介电层厚度的测量方法，解决了现有测量方案存在测量结果不准确且会对电路造成不良影响的问题。
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