公开(公告)号：CN117855294A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311664855.X

申请日：2023-12-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张丽平 ,  周一诺 ,  刘文柱 ,  李振飞 ,  杜俊霖 ,  刘正新

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介于1.8～2.6eV之间、能带的价带顶上方富含多个能级通道的p型氢化微晶硅基隧穿层以增强空穴载流子收集。本发明还涉及硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的硅异质结太阳电池及其制备方法，通过隧道传输层，在本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间搭建一个能级通道使能级中的价带顶部有连续能级供空穴载流子在电池纵向方向实现有效隧穿，获得高填充因子和高转换效率的硅异质结太阳电池。