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公开(公告)号:CN118956343A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411026228.8
申请日:2024-07-30
Applicant: 矿业大学(北京)内蒙古研究院 , 中国矿业大学(北京) , 郑州航空工业管理学院 , 内蒙古泛中能源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于天然辉钼矿的MoS2/MoO2/Cu2S复合材料及其制备方法,包括下列步骤:1)将辉钼矿粉末与CuO粉末在研钵中充分混合均匀;2)在惰性或保护气氛下,将1)所得混合物控温在700~900℃煅烧5~6h,所得产物即为MoS2/MoO2/Cu2S复合材料;本发明制备的MoS2/MoO2/Cu2S复合材料具有更好的电磁波吸收特性,可作为电磁波吸收材料广泛应用于相应的电磁防护以及微波隐身领域。
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公开(公告)号:CN117568758A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311285578.1
申请日:2023-10-07
Applicant: 中国矿业大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种含贻贝足丝蛋白的复合涂层材料及其制备方法,对碳钢表面进行清洗,去除表层氧化膜;采用直流磁控溅射在碳钢表面制备TiO2层;采用直流磁控溅射在碳钢表面制备Ag层;以碳钢表面含有的TiO2/Ag膜为前驱体膜,利用均胶机在前驱体膜上旋涂一层Mefp‑1蛋白溶液,得到用于碳钢表面的Mefp‑1/TiO2/Ag复合涂层。TiO2涂层主要起到防腐作用,Ag涂层具有优异的耐磨特性,两种涂层在防腐耐磨领域都属于环保材料,用于替代有害化学物质。Mefp‑1蛋白对于提升碳钢的防腐耐磨特性均有一定作用,且极大的增强磁控溅射涂层的粘附性,使磁控溅射涂层的防护性能成倍增加。本发明在可以有效改善碳钢防腐性、耐磨的前提下,还具有操作简单,成本低廉等优势。
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公开(公告)号:CN117568758B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202311285578.1
申请日:2023-10-07
Applicant: 中国矿业大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种含贻贝足丝蛋白的复合涂层材料及其制备方法,对碳钢表面进行清洗,去除表层氧化膜;采用直流磁控溅射在碳钢表面制备TiO2层;采用直流磁控溅射在碳钢表面制备Ag层;以碳钢表面含有的TiO2/Ag膜为前驱体膜,利用均胶机在前驱体膜上旋涂一层Mefp‑1蛋白溶液,得到用于碳钢表面的Mefp‑1/TiO2/Ag复合涂层。TiO2涂层主要起到防腐作用,Ag涂层具有优异的耐磨特性,两种涂层在防腐耐磨领域都属于环保材料,用于替代有害化学物质。Mefp‑1蛋白对于提升碳钢的防腐耐磨特性均有一定作用,且极大的增强磁控溅射涂层的粘附性,使磁控溅射涂层的防护性能成倍增加。本发明在可以有效改善碳钢防腐性、耐磨的前提下,还具有操作简单,成本低廉等优势。
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公开(公告)号:CN120041101A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510186127.5
申请日:2025-02-20
Applicant: 中国矿业大学(北京)
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域,本发明公开了一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用,包含以下浓度组分:氧化铝磨粒0.05~0.2wt%;氧化剂0.05~0.2wt%;络合剂20~80mmol/L;去离子水;所述络合剂为DTPA(NH4)5复合型络合剂;本发明制备的抛光液能有效提高钌栅化学机械抛光过程中的去除速率,同时确保抛光后的钌栅表面具有纳米级的表面粗糙度和无缺陷特性,解决由于钌的高硬度,高化学惰性导致的抛光速率低的问题,实现钌栅的高质量表面加工。
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公开(公告)号:CN118908277A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411026231.X
申请日:2024-07-30
Applicant: 郑州航空工业管理学院 , 矿业大学(北京)内蒙古研究院 , 中国矿业大学(北京) , 内蒙古泛中能源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼纳米片阵列天然辉钼矿吸波材料及其制备方法,包括下列步骤:1)取聚乙二醇、钼酸钠与硫脲,依次分散到去离子水中,磁力搅拌30min;2)取辉钼矿粉末加入到1)的混合液中,磁力搅拌1h,获得溶液;3)将2)中所得溶液进行水热反应,然后冷却至室温取出;4)经过去离子水与乙醇清洗3)中所得样品,进行80℃,12h干燥;5)将4)中干燥后所得样品进行收集,标记样品,即得二硫化钼纳米片阵列天然辉钼矿吸波材料。本发明将MoS2纳米片阵列在天然辉钼矿表面实现同质MoS2材料的制备,辉钼矿阵列材料的主相仍然是2H‑MoS2,无其它杂质生成。
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公开(公告)号:CN118791973A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410792194.7
申请日:2024-06-19
Applicant: 中国矿业大学(北京)
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种用于钴互连阻挡层钛的化学机械抛光液及化学机械抛光方法,所述化学机械抛光液由1‑10wt.%的磨料、0.5‑5wt.%的氧化剂、10‑150mmol/L的络合剂、pH调节剂以及余量的水组成,所述络合剂为柠檬酸或柠檬酸盐。本发明的化学机械抛光液选用合适的氧化剂、络合剂种类和浓度配比,在抛光液中化学物质的化学反应和磨粒的机械磨损协同作用下,提高金属钛的材料去除速率,并获得优质光滑的表面在钴互连阻挡层钛的CMP工艺中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN117305843A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311065679.8
申请日:2023-08-23
Applicant: 中国矿业大学(北京)
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种用于Co互连粗抛阶段的化学机械抛光液及其化学机械抛光方法,所述化学机械抛光液包括0.1‑5wt.%的氧化剂、0.1‑5wt.%的络合剂、0.005‑5wt.%的缓蚀剂、0.01‑0.5wt.%的pH调节剂、0.1‑5wt.%的磨料和余量的水,所述缓蚀剂为2,2’‑[[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基]双乙醇、油酸钾或十二烷基苯磺酸。本发明的化学机械抛光液,可以用于Co互连粗抛阶段的化学机械抛光,通过提高化学反应和机械磨损的协同作用,化学机械抛光液在Co抛光过程中能够获得较高的材料去除速率、较低的静态腐蚀速率、较低的表面粗糙度以及均匀的腐蚀后表面形貌,在Co互连结构的CMP工艺中具有广阔的应用前景。
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