Patent search ap:("中国矿业大学(北京)") AND inv:"高硕" Page 1

1.

发明公开
一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用审中-公开

公开(公告)号：CN120041101A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510186127.5

申请日：2025-02-20

Applicant: 中国矿业大学(北京)

Inventor： 程洁 , 刘丁未 , 邓久帅 , 张志军 , 高硕

IPC: C09G1/02 , H01L21/28

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，本发明公开了一种用于芯片高K介质金属栅钌栅平坦化的抛光液及其制备方法与应用，包含以下浓度组分：氧化铝磨粒0.05～0.2wt％；氧化剂0.05～0.2wt％；络合剂20～80mmol/L；去离子水；所述络合剂为DTPA(NH4)5复合型络合剂；本发明制备的抛光液能有效提高钌栅化学机械抛光过程中的去除速率，同时确保抛光后的钌栅表面具有纳米级的表面粗糙度和无缺陷特性，解决由于钌的高硬度，高化学惰性导致的抛光速率低的问题，实现钌栅的高质量表面加工。

Patent Agency Ranking