公开(公告)号：CN108597997B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201810166841.8

申请日：2018-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谭永亮 ,  吕鑫 ,  赵红刚 ,  胡泽先 ,  崔玉兴 ,  付兴昌

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。本发明制备的欧姆接触电极能够保证金属层表面平整、边缘光滑整齐，器件击穿电压稳定、可靠性和寿命长。

公开(公告)号：CN111987003A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010872395.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 廖龙忠 ,  周国 ,  赵红刚 ,  樊帆 ,  李波 ,  崔玉兴

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。

公开(公告)号：CN108597997A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810166841.8

申请日：2018-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谭永亮 ,  吕鑫 ,  赵红刚 ,  胡泽先 ,  崔玉兴 ,  付兴昌

IPC: H01L21/285

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。本发明制备的欧姆接触电极能够保证金属层表面平整、边缘光滑整齐，器件击穿电压稳定、可靠性和寿命长。

公开(公告)号：CN117577529A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311132089.2

申请日：2023-09-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 高渊 ,  李波 ,  秦龙 ,  宋洁晶 ,  赵红刚 ,  赵阳 ,  付兴中 ,  周国 ,  张力江 ,  崔玉兴

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请适用于高电子迁移率晶体管技术领域，提供了GaN HEMT器件及制备方法。该制备方法包括：在GaN外延层上形成SiN保护层，在SiN保护层上形成SiO2栅区域；以SiO2栅区域为掩蔽进行离子注入，在GaN外延层上形成源区域和漏区域；在SiO2栅区域的两侧形成平坦化层，并将SiO2栅区域和平坦化层的高度刻蚀至预设高度；将SiO2栅区域中的SiO2去除，形成栅槽结构；在栅槽结构靠近槽壁的部分填充SiN形成侧墙，得到预设尺寸的栅槽；在栅槽中形成金属栅。本申请能够栅和源漏自对准结构的GaN HEMT器件，能够减小电容等各项寄生参数，提高器件性能。

公开(公告)号：CN109473345A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811391500.7

申请日：2018-11-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 秦龙 ,  宋洁晶 ,  胡泽先 ,  高渊 ,  高昶 ,  孙虎 ,  赵红刚 ,  吕鑫 ,  朱延超 ,  高三磊 ,  王强栋 ,  吕树海 ,  刘相伍

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。

公开(公告)号：CN111987003B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010872395.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 廖龙忠 ,  周国 ,  赵红刚 ,  樊帆 ,  李波 ,  崔玉兴

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。