-
公开(公告)号：CN101509933A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910073948.9
申请日：2009-03-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微加速度与微角速率集成传感器制造方法，采用气体(如氩气、氮气、二氧化碳等气体)作为感知元件，在一个衬底上制备微加速度传感器需要的温度传感器和加热器，该温度传感器和加热器悬空在衬底腔体中，在另一个衬底上制备微角速率传感器需要的温度传感器，该温度传感器悬空在衬底腔体中；采用键合工艺(如金硅键合工艺)将两衬底键合成一体，再经划片、管芯分离、装架、键合引线、封装即可。本发明方法采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，将加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，加工工艺简单、成本低，测量精度高。
-
公开(公告)号：CN1477208A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03137632.0
申请日：2003-06-09
Applicant: 清华大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及一种微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片。包括微槽，以及微槽背面由绝热槽隔开的恒温区，在微槽背面的电阻式微温度传感器，对称置于该温度传感器两侧的微加热器。在生物基因组研究、法医学、遗传分析、治疗效果评估和医疗诊断等领域中有广泛应用。样品与反应物以微液滴形式在具有三个恒温区的槽中振荡运动以实现聚合酶链式反应(PCR)的变性、退火和延伸过程，减小了生物芯片工作时所需要的驱动压力，避免了可能产生的气泡对芯片功能的影响；集成于芯片上的恒温区有利于PCR反应混合物实现快速的升降温过程，并便于改变工作区温度以优化PCR过程，或实现某些特殊要求；采用硅微加工技术制造，便于大批量生产，尺寸小，成本低。
-
公开(公告)号：CN109545842A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811408241.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L21/0445
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N-型外延层、第二N-型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终端置于第一N-型外延层内部远离表面的位置，使得碳化硅器件反向偏置时峰值电场位于SiC材料内部，从而能够解决现有碳化硅器件终端结构容易发生表面击穿的问题，同时还能够降低对SiC和钝化介质界面质量的要求，提高了器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN101509933B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200910073948.9
申请日：2009-03-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微加速度与微角速率集成传感器制造方法，采用气体(如氩气、氮气、二氧化碳等气体)作为感知元件，在一个衬底上制备微加速度传感器需要的温度传感器和加热器，该温度传感器和加热器悬空在衬底腔体中，在另一个衬底上制备微角速率传感器需要的温度传感器，该温度传感器悬空在衬底腔体中；采用键合工艺(如金硅键合工艺)将两衬底键合成一体，再经划片、管芯分离、装架、键合引线、封装即可。本发明方法采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，将加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，加工工艺简单、成本低，测量精度高。
-
公开(公告)号：CN100585409C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710062556.3
申请日：2007-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种三轴热对流加速度传感器，它属于微机械传感器领域。它包括内部设置有敏感元件的封闭腔体、加热器、温度传感器，加热器和三个轴向的温度传感器都设置在封闭腔体内，敏感元件为限定在封闭腔体内的气体，加热器位于封闭腔体中心，在X、Y、Z三个轴向上分别设置有等距离对称布置的、特性值相同的温度传感器。它以单一气体作为敏感元件能够感知三个轴向的加速度。本发明的加速度传感器可以应用在许多场合，使用本发明进行加速度检测时，可以感知空间任意方向的加速度、简单方便、体积小、成本低、可靠性高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101244802A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810054697.5
申请日：2008-03-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于硅硅键合的高深宽比微机械加工方法，属于微机械传感器加工领域，用于制作微机械高深宽比结构。其基本过程为：选用符合硅硅键合要求的单晶硅片；对单晶硅片局部刻蚀，形成具有一定深度的硅腔体；将带有硅腔体单晶硅片与另一片单晶硅片进行硅硅键合，形成一个带硅腔体的材料；再进行微结构的高深宽比刻蚀。本发明在硅硅键合前增加一步在支撑层或者结构层上刻蚀硅腔体的步骤，利用硅腔体的深度控制微机械结构和衬底之间的纵向距离，以调整活动结构的阻尼。利用本方法加工时，刻蚀的区域内没有氧化层，可以避免刻蚀过程中产生footing效应，能够精确的实现高深宽比的结构。
-
公开(公告)号：CN101143700A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710139610.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微机械热流式传感器的加工方法，它属于微机械传感器加工领域。本发明包括加热器以及温度传感器的加工、悬梁的腐蚀、硅腔体的腐蚀，单层结构的微机械热流式传感器的加工技术的基本步骤为：(1)基体材料的选用，(2)薄膜的生长，(3)加热器和温度传感器同时制备，(4)悬梁的释放，(5)腔体的腐蚀。本发明的加热器和温度传感器同时制备在硅片上，悬梁的释放是采用牺牲层技术。制作多层结构的微机械热流式传感器时采用多层键合技术。本发明是一种通用的、适合各种微机械热流式传感器的加工技术，可以实现具有立体结构传感器的加工。采用本加工方法制造的热流式传感器具有体积小、质量小和抗高冲击的特点，可以节约制造成本。
-
公开(公告)号：CN101118250A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710139407.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅MEMS压阻式加速度传感器，它属于微机械传感器领域。本发明包括硅框架、质量块、扭转梁、敏感梁和压敏电阻，在质量块的左右两侧设置有互相对称的、和硅框架连接的敏感梁，敏感梁上表面的端部制作有压敏电阻；在质量块的前后两侧设置有一对对称的、和硅框架连接的扭转梁，其垂直方向的高度大于敏感梁的高度。本发明所提供的压阻式加速度传感器，是一种利用制作在结构的上表面的压敏电阻来测量横向加速度信号的微传感器，可以避免使用在结构侧面制作压敏电阻的复杂工艺，降低了加工难度，提高了电阻的加工精度、一致性和成品率，并易于实现三轴集成。该传感器还具有体积小、质量轻、交叉耦合小、可靠性高、成本低和易于集成的特点。
-
公开(公告)号：CN101105502A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710062556.3
申请日：2007-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种三轴热对流加速度传感器，它属于微机械传感器领域。它包括内部设置有敏感元件的封闭腔体、加热器、温度传感器，加热器和三个轴向的温度传感器都设置在封闭腔体内，敏感元件为限定在封闭腔体内的气体，加热器位于封闭腔体中心，在X、Y、Z三个轴向上分别设置有等距离对称布置的、特性值相同的温度传感器。它以单一气体作为敏感元件能够感知三个轴向的加速度。本发明的加速度传感器可以应用在许多场合，使用本发明进行加速度检测时，可以感知空间任意方向的加速度、简单方便、体积小、成本低、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN108364857A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810166868.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层；在所述有机聚合物层的上表面和侧壁形成第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层。本发明能够显著提高半导体芯片的抗潮气性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.037 seconds)
