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公开(公告)号：CN114421953A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111487678.3
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H03K19/17748 , H03K19/17704
摘要： 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中的电平转换电路，属于集成电路领域。本发明在常规的四管电平转换结构中，增加4颗高压MOS晶体管，引入中间电压，使每颗MOS管在电平转换工作时都不会超出限定的源漏电压值来有效抑制热载流子效应，从而有效地提升了FPGA工作的可靠性；在其基础上，增加2颗高压MOS晶体管，引入低压逻辑电源电压作为栅控制信号，同时下拉NMOS用一个低压NMOS，保证低电压向高电压的正确转换，加快了翻转速度，提升了编程的可靠性。
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公开(公告)号：CN114268313A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111504649.3
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H03K19/17748
摘要： 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构，属于集成电路领域，包括控制逻辑模块、振荡器、电荷泵、反相器、零伏电路、NMOS晶体管HVN1和稳压电路；反熔丝FPGA编程过程中，使用零伏电路关闭隔离电路，实现对编程通路用的高电压与用户逻辑电路用的低电压之间进行高低压隔离；反熔丝FPGA编程完成后进入用户模式，隔离电路由电荷泵开启，电荷泵启动的同时打开作为电荷泵辅助充电模块的NMOS晶体管HVN1，电荷泵辅助充电模块通过充电能力强的芯片工作电源快速将隔离电路的栅电容电压充电到芯片工作电源电压值附近。
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公开(公告)号：CN111415696B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010196359.6
申请日：2020-03-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G11C29/00
摘要： 本发明公开一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，属于CMOS集成电路技术领域。通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；再次对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行动态老炼，诱导有潜在缺陷的芯片发生早期失效；进行全片读取校验，剔除发生错误的芯片。本发明提供的方法可以有效剔除有工艺缺陷或参数不达标的芯片，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN114268313B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111504649.3
申请日：2021-12-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H03K19/17748
摘要： 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的控制结构，属于集成电路领域，包括控制逻辑模块、振荡器、电荷泵、反相器、零伏电路、NMOS晶体管HVN1和稳压电路；反熔丝FPGA编程过程中，使用零伏电路关闭隔离电路，实现对编程通路用的高电压与用户逻辑电路用的低电压之间进行高低压隔离；反熔丝FPGA编程完成后进入用户模式，隔离电路由电荷泵开启，电荷泵启动的同时打开作为电荷泵辅助充电模块的NMOS晶体管HVN1，电荷泵辅助充电模块通过充电能力强的芯片工作电源快速将隔离电路的栅电容电压充电到芯片工作电源电压值附近。
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公开(公告)号：CN114301278A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111502159.X
申请日：2021-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中隔离电路的闭环控制结构，属于集成电路领域。本发明采用1#电荷泵来控制NMOS晶体管HVN1开关通断，通过芯片电源将隔离电路的栅电容电压充电到芯片电源电压值附近，解决了2#电荷泵在输出负载电容大的情况下升压慢问题。当2#电荷泵的输出电压值达到某一阈值时，关闭1#电荷泵，关断NMOS晶体管HVN1的控制开关，防止2#电荷泵的输出对芯片电源反向充电。当2#电荷泵的输出电压值达到某一阈值时，振荡器降频工作，降低2#电荷泵的功耗，从而降低系统功耗。当2#电荷泵的输出电压值达到某一阈值时，稳压电路启动，减少二级电荷泵的输出纹波。
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公开(公告)号：CN106340323B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610693862.6
申请日：2016-08-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G11C17/16
摘要： 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行该字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法，能够有效地避免反熔丝被误编程，提升芯片的编程成功率，通过优化编程算法，提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN118574424A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410779210.9
申请日：2024-06-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明涉及磁屏蔽封装技术领域，特别涉及一种兼容STT和SOT‑MRAM的开放式磁屏蔽封装结构。包括：封装外壳和磁屏蔽体；所述磁屏蔽体粘接或烧结于所述封装外壳的基底上，且所述磁屏蔽体由磁性材料加工制成；其中，所述磁屏蔽体包括：磁屏蔽衬底、磁性连接层和磁屏蔽顶盖；所述磁屏蔽衬底的顶部通过所述磁性连接层焊接或粘接有所述磁屏蔽顶盖，所述磁屏蔽衬底与所述磁屏蔽顶盖之间由下至上依次叠放有若干叠封芯片，且每相邻两个所述叠封芯片之间还设有垫片。本发明能够兼顾STT‑MRAM和SOT‑MRAM磁屏蔽需求，同时提高芯片封装通用性。
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公开(公告)号：CN116403630A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211557130.6
申请日：2022-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种适用于MTM反熔丝PROM的读出电路，属于半导体集成电路领域，包括隔离管N1、预充管P0、下拉管N0、限压保护电阻R0、识别反相器INV1、常规反相器INV2、编程控制信号Prog_VC和读出使能信号SA_EN。增加的限压保护电阻远R0大于MTM反熔丝的编程后电阻，但又远小于MTM反熔丝的未编程电阻。当存储单元中存储数据0，MTM反熔丝未被编程，电阻极高。在进行读出操作时，限压保护电阻可以有效降低MTM反熔丝两端的电压差，从而实现对未编程MTM反熔丝的保护，提高MTM反熔丝PROM存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN114421953B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111487678.3
申请日：2021-12-07
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H03K19/17748 , H03K19/17704
摘要： 本发明公开一种用于反熔丝FPGA中的电平转换电路，属于集成电路领域。本发明在常规的四管电平转换结构中，增加4颗高压MOS晶体管，引入中间电压，使每颗MOS管在电平转换工作时都不会超出限定的源漏电压值来有效抑制热载流子效应，从而有效地提升了FPGA工作的可靠性；在其基础上，增加2颗高压MOS晶体管，引入低压逻辑电源电压作为栅控制信号，同时下拉NMOS用一个低压NMOS，保证低电压向高电压的正确转换，加快了翻转速度，提升了编程的可靠性。
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公开(公告)号：CN117935892A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311730141.4
申请日：2023-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本发明公开一种2T2R型MRAM存储器的故障建模及测试方法，属于存储器领域。所述2T2R型MRAM存储器包括MRAM磁存储器电路；所述MRAM磁存储器电路为多个(2×2)2T2R MRAM阵列组成的逻辑模块，所述(2×2)2T2R MRAM阵列是由2T2R MRAM存储子单元组成的2×2的存储阵列；建模方法包括：分析2T2R MRAM的电学故障，将其抽象为逻辑故障，并用故障原语分别表示为：晶体管短路故障、晶体管开路故障、桥接故障；测试方法包括：基于故障模型提出March‑2T2R算法，对于所述2T2R型MRAM存储器的故障的覆盖率为100％。本发明解决了MRAM存储器中存在的逻辑故障及功能故障，使读出的数据更加准确。
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