本发明公开一种2T2R型MRAM存储器的故障建模及测试方法，属于存储器领域。所述2T2R型MRAM存储器包括MRAM磁存储器电路；所述MRAM磁存储器电路为多个(2×2)2T2R MRAM阵列组成的逻辑模块，所述(2×2)2T2R MRAM阵列是由2T2R MRAM存储子单元组成的2×2的存储阵列；建模方法包括：分析2T2R MRAM的电学故障，将其抽象为逻辑故障，并用故障原语分别表示为：晶体管短路故障、晶体管开路故障、桥接故障；测试方法包括：基于故障模型提出March‑2T2R算法，对于所述2T2R型MRAM存储器的故障的覆盖率为100％。本发明解决了MRAM存储器中存在的逻辑故障及功能故障，使读出的数据更加准确。