本发明涉及磁屏蔽封装技术领域，特别涉及一种兼容STT和SOT‑MRAM的开放式磁屏蔽封装结构。包括：封装外壳和磁屏蔽体；所述磁屏蔽体粘接或烧结于所述封装外壳的基底上，且所述磁屏蔽体由磁性材料加工制成；其中，所述磁屏蔽体包括：磁屏蔽衬底、磁性连接层和磁屏蔽顶盖；所述磁屏蔽衬底的顶部通过所述磁性连接层焊接或粘接有所述磁屏蔽顶盖，所述磁屏蔽衬底与所述磁屏蔽顶盖之间由下至上依次叠放有若干叠封芯片，且每相邻两个所述叠封芯片之间还设有垫片。本发明能够兼顾STT‑MRAM和SOT‑MRAM磁屏蔽需求，同时提高芯片封装通用性。