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公开(公告)号：CN117458196A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311228879.0
申请日：2023-09-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01R13/514 , H01R13/631 , H01R13/66 , H01R27/00 , H05K7/20
Abstract: 本发明提出了一种混装盲配液冷组件结构，包括：壳体、控制板及信号接收模块；壳体一侧的侧面上安装有上下两排射频盲配连接器和相对设置在射频盲配连接器所在区域两端的液冷盲配接头与混装盲配插座；信号接收模块位于壳体内部并分为上下两排，上排的信号接收模块与上排的射频盲配连接器连接，下排的信号接收模块与下排的射频盲配连接器连接；控制板位于上下两排信号接收模块之间并与混装盲配插座连接；控制板的正反面均集成有多组信号接口，且集成在其正面的多组信号接口与上排的排信号接收模块连接，集成在其反面的多组信号接口与下排的排信号接收模块连接。本发明实现了混装盲配液冷组件的高集成设计。
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公开(公告)号：CN113881995B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111281577.0
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种冷板风道内部微弧氧化的方法，涉及冷板表面工程技术领域，包括以下步骤：(1)将冷板清洗去油，然后在非微弧氧化区域喷涂可剥漆；(2)将冷板置于微弧氧化工装上；(3)调节电源参数进行微弧氧化。本发明的有益效果在于：采用本发明中的微弧氧化工装不仅解决了超窄间隙电力线屏蔽问题，有效确保了超窄间隙内的电场分布高均匀性，而且能够提高微弧氧化膜层质量均匀性等，从而确保产品微弧氧化质量满足应用需求。按照所述方法制备的微弧氧化膜层，具有耐至少192h的酸性盐雾能力，远超普通微弧氧化膜层96h的耐盐雾腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN114230357B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111583826.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01Q13/10 , C04B35/83 , C04B35/573 , C04B35/577 , C04B35/571 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种复合材料缝隙波导天线的制备方法，包括以下步骤：首先将成型天线碳纤维织物预制体；然后经过化学气相沉积碳对织物进行定形，定形后对外形粗机加，再对其进致密，对外形精密加工后，对外形面进行保护后，再次循环致密，直至材料密度达到2.0‑2.3g/cm3，复合材料成型后，再对表面进行金属化。本发明方法可获得一种低密度、极低热膨胀系数、耐高温、抗热冲击的缝隙波导天线，重量比铝合金天线要低10‑20％，耐高温能力为1650℃，热膨胀系数为0.5‑3×10‑6/℃，同时由于耐高温，可以采用铝合金与碳纤维增强树脂基复合材料无法采用的CVD或者RMI方法进行深宽比腔体的金属化处理。
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公开(公告)号：CN113300107B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110110373.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种有源天线、标准值采集方法、校正方法，包括：天线阵面，天线阵面的线源中集成有校正耦合通道；若干个TR组件，若干个TR组件与天线阵面连接；若干个子阵馈线网络，子阵馈线网络分别与TR组件连接；开关馈线网络，开关馈线网络与子阵馈线网络相连接；开关校正网络，开关校正网络与开关馈线网络连接；接收通道、发射通道，发射通道与接收通道一起被设计为一体化收发通道；耦合校正网络，耦合校正网络的一端与天线阵面的线源连接，校正和网络，校正和网络的一端与耦合校正网络的另一端连接，校正和网络的另一端与开关馈线网络连接。本发明能够适用于不同工作体制雷达系统，并提高有源天线校正的准确性。
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公开(公告)号：CN114006164A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111281532.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明涉及雷达技术领域，具体涉及一种雷达铸铝盖板内腔吸波材料固定方法，包括如下步骤：对铸铝盖板内壁进行喷砂，清洗内壁，在内壁粘贴吸波材料，在贴好的吸波材料上施压并进行保压，在接缝处以及吸波材料四周与盖板不能贴合处，涂胶封堵，固化成型。本发明的优点在于：雷达铸铝盖板内腔吸波材料固定较为牢固，不易发生边角翘曲、脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111117575A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911426158.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明公开一种相变储能材料的改性方法，包括以下步骤；制备骨架材料：对所述骨架材料进行陶瓷增韧：对所述骨架材料进行催化生长碳纳米管和石墨烯：对所述骨架材料进行高温处理：对所述骨架材料进行封装并循环填充相变材料；本发明生成的相变材料体系密度低，体系密度可控制在小于0.9g/cm3范围以内，改性后相变储能材料体系热导率达到40W/(m·K)～120W/(m·K)，提高了相变材料的储能效率，并且通过改变工艺，控制改性材料的密度、强度与热导率，从而调节相变系统的热导率与密度。
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公开(公告)号：CN115673970B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211190722.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: B24B27/033 , B24B31/116 , B24B31/12 , B24B41/06 , H01L21/48
Abstract: 本发明提出一种陶瓷阵列封装器件引脚去氧化工装和去氧化方法，所述去氧化工装包括限位底座、第一保护盖板和引流盖板；限位底座上开设有对陶瓷阵列封装器件进行限位的卡槽；第一保护盖板位于限位底座上方，其上开设有允许并配合陶瓷阵列封装器件引脚通过的第一阵列微孔；引流盖板位于第一保护盖板上方，引流盖板上开设有对应第一阵列微孔的加工槽，所述加工槽在第一保护盖板上方形成磨粒流进出通道。通过设计上述去氧化工装对陶瓷阵列封装器件非氧化区域进行保护，再利用磨粒流对陶瓷阵列封装器件引脚的待处理焊端进行去氧化处理，在不对陶瓷阵列封装器件造成任何损伤的前提下即可实现陶瓷阵列封装器件引脚的去氧化处理，提高封装器件的可焊性。
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公开(公告)号：CN119581865A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411713840.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种基于光学合成孔径的大孔径毫米波红外共孔径天线，涉及光学与微波探测技术的交叉领域。本发明采用基于光学合成孔径的大孔径毫米波红外共孔径天线，可实现红外大范围搜索探测和毫米波阵列完成精密跟踪、精细识别、引导打击的功能；采用大孔径光学设计提高了光学系统的集光能力和分辨率，增强了其在大雾、浓烟、灰尘和云层的穿透能力；采用大孔径毫米波阵列设计，有效提升了毫米波阵列天线的威力；采用频率选择表面主次镜技术，有效的兼容了红外成像系统和毫米波阵列天线，满足天基领域光学与微波协同远距离探测需求。
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公开(公告)号：CN115360563A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210886544.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01R43/02
Abstract: 本发明公开了一种微波组件内外导体的一体化装焊方法，通过优化微波组件内导体和外导体预置焊料和焊接工艺的步骤，实现了微波组件表面贴装焊点和通孔插装焊点，与微带板大面积焊接的一体化焊接；有效避免传统微带板和微波组件的梯度回流焊接加微波组件内导体手工焊接，造成微波组件内导体多次受热，导致氧化或污染进而导致一定概率不润湿的问题，严重影响了内导体焊接质量；大大提高焊接质量和焊接效率。本发明还提出一种微波组件内外导体的一体化装焊系统。
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公开(公告)号：CN114989398A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210528484.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超低温及宽温环境的无溶剂RTM树脂体及其制备方法，涉及高分子材料及树脂基复合材料领域。该RTM树脂体由主体树脂A、固化剂B和活化剂C三个组份组成，按重量计，组份A、组份B、组份C的比例关系为100：(1～30)：(0.1～1)。本发明的RTM树脂体固化收缩率低、固化物尺寸精度高、力学性能好；树脂体粘度低、凝胶时间长，满足RTM成型技术对树脂体粘度和适用期的要求；其固化物耐超低温和宽温环境性能优异，经液氮‑196℃浸泡及低温端‑170℃和高温端120℃的热真空循环试验后，树脂体试样外观无变化，力学强度的损失小于10％。该RTM树脂体特别适用于航空、航天、电子等技术领域树脂基复合材料结构/功能件的成型制造。
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