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公开(公告)号：CN113409245B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110365561.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06T5/70 , G06T5/90 , G06T5/40
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件X射线检查缺陷自动识别方法，该方法对X射线图像进行预处理；人工半自动或自动对样本进行标注，根据电子元器件的封装和缺陷形式，将待检测的电子元器件的缺陷类型分为空洞类缺陷、一致性缺陷和角度缺陷三大类。利用基于卷积神经网络的语义分割方法实现对四类空洞缺陷的检测。通过大量的样本对卷积神经网络进行训练，实现对各类空洞缺陷的精确分割，极大提高了缺陷自动识别效率。同时，通过灰度投影法对芯片焊接区及密封区等进行检测，根据相应的判别准则对其合格性进行判别。解决了以往无法进行自动计算和单纯靠人工进行判别的问题，以及混合集成电路中的基板与管壳焊接界面空洞的干扰问题。
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公开(公告)号：CN111257718A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010146832.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
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公开(公告)号：CN113409245A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110365561.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件X射线检查缺陷自动识别方法，该方法对X射线图像进行预处理；人工半自动或自动对样本进行标注，根据电子元器件的封装和缺陷形式，将待检测的电子元器件的缺陷类型分为空洞类缺陷、一致性缺陷和角度缺陷三大类。利用基于卷积神经网络的语义分割方法实现对四类空洞缺陷的检测。通过大量的样本对卷积神经网络进行训练，实现对各类空洞缺陷的精确分割，极大提高了缺陷自动识别效率。同时，通过灰度投影法对芯片焊接区及密封区等进行检测，根据相应的判别准则对其合格性进行判别。解决了以往无法进行自动计算和单纯靠人工进行判别的问题，以及混合集成电路中的基板与管壳焊接界面空洞的干扰问题。
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公开(公告)号：CN119004198B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410652368.X
申请日：2024-05-24
IPC: G06F18/241 , G06Q10/0635 , G06Q50/26
Abstract: 本发明涉及IP核评测技术领域，具体涉及军用IP核评测方法。通过明确待检测IP核的检测结果判断是否对待检测IP核所对应的检测设备进行风险判断监测，结合前检测批次Dp下的异常检测项目的DQl与历史检测批次Lp下异常检测项目的对应状态，以判断待检测IP核异常风险的影响因素，同时向待检测IP核对应的检测设备执行风险监测时，以形成对检测设备风险的检测分析，由此实现对检测设备的安全性验证，以便于后续检测设备能够给IP核提供更为精确的功能性评测核验，同时提升评测、检验效率。
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公开(公告)号：CN119574059A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411649137.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京睿智航显示科技有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供了一种显示产品光电性能的检测系统及方法，其中系统包括校准装置，用于获得高低温条件下显示产品的光学性能的修正系数；在线测试装置，用于测试相同高低温度条件下显示产品的光学性能，校准装置与在线测试装置共用一组光纤探头和光纤，光纤探头用于捕获显示产品指定显示区域的光信号；光纤放置于相同高低温条件的环境中，用于传输捕获的光信号；求和模块，用于输出显示产品的光电性能的最终参数值，最终参数值为在线测试装置的测试值与所述修正系数求和；本申请解决了常规显示产品在环境试验箱内处于高温或低温条件下进行光学性能检测时，不同温度下玻璃透过率变化对测量结果准确性影响较大，无法准确测量显示产品光学性能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113791242B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110841790.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: SMD表贴封装器件热阻测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。夹具主体(23)一半部分的上表面设有器件定位板(3)，器件定位板(3)中间设有孔槽，孔槽直接露出的夹具主体(23)作为主散热面(24)，主散热面(24)的一边设有两个大电极针：第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)，第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)的一侧区域的主散热面(24)内的四个角各设有一个小电极针(17)；在主散热面(24)的正中心设有一热电偶(12)。通过分离控温、壳温测试及电连接三个板块，避免温度性能与电性能之间的相互干扰，进而准确测试SMD表贴封装器件热阻。
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公开(公告)号：CN119004198A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410652368.X
申请日：2024-05-24
IPC: G06F18/241 , G06Q10/0635 , G06Q50/26
Abstract: 本发明涉及IP核评测技术领域，具体涉及军用IP核评测方法。通过明确待检测IP核的检测结果判断是否对待检测IP核所对应的检测设备进行风险判断监测，结合前检测批次Dp下的异常检测项目的DQl与历史检测批次Lp下异常检测项目的对应状态，以判断待检测IP核异常风险的影响因素，同时向待检测IP核对应的检测设备执行风险监测时，以形成对检测设备风险的检测分析，由此实现对检测设备的安全性验证，以便于后续检测设备能够给IP核提供更为精确的功能性评测核验，同时提升评测、检验效率。
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公开(公告)号：CN115902597A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210869391.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/307 , G01R31/311 , G01R31/28 , G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGA/LGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGA/LGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGA/LGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。
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公开(公告)号：CN113791242A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110841790.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: SMD表贴封装器件热阻测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。夹具主体(23)一半部分的上表面设有器件定位板(3)，器件定位板(3)中间设有孔槽，孔槽直接露出的夹具主体(23)作为主散热面(24)，主散热面(24)的一边设有两个大电极针：第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)，第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)的一侧区域的主散热面(24)内的四个角各设有一个小电极针(17)；在主散热面(24)的正中心设有一热电偶(12)。通过分离控温、壳温测试及电连接三个板块，避免温度性能与电性能之间的相互干扰，进而准确测试SMD表贴封装器件热阻。
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公开(公告)号：CN212622912U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020258053.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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