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公开(公告)号：CN119692297A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411536858.X
申请日：2024-10-31
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明提供一种静电放电结构鲁棒性评估方法及其装置，属于半导体技术领域，包括：对芯片进行逐层去除，对获取的版图信息进行电路分析获取电路原理图，根据电路原理图进行截面染色处理获取几何信息，对静电放电结构中进行检测获取PN区分布信息，利用版图信息、几何信息和PN区分布信息进行TCAD仿真，根据得到的电气特性信息确定芯片的静电放电结构的鲁棒性能。本发明提供的静电放电结构鲁棒性评估方法及其装置，提供了一种基于结构提取和TCAD仿真的静电放电结构鲁棒性评估手段，不需要器件设计厂商提供静电放电结构的电路原理图和版图，也不需要其提供工艺参数，有效提高半导体器件ESD结构鲁棒性评估效率。
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公开(公告)号：CN115902597A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210869391.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/307 , G01R31/311 , G01R31/28 , G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGA/LGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGA/LGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGA/LGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117517394A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311348401.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明提供一种半导体分立器件芯片粘接合格性测试方法和装置，提前获得芯片粘接合格和不合格(但无限接近合格)的两只半导体分立器件，利用两只半导体分立器件的瞬态热阻确定半导体分立器件粘接层的瞬态热阻测试时间；基于瞬态热阻测试时间以及芯片粘接不合格的半导体分立器件在瞬态热阻测试时间的瞬态热阻，对待测半导体分立器件进行芯片粘接合格性测试。本发明可以快速有效筛除芯片粘接不合格的半导体分立器件，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN115774181A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211534283.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Inventor： 高立
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷封装芯片的失效分析方法，其涉及集成电路制造技术领域，陶瓷封装芯片包括：由陶瓷制成的封装底座；通过焊接方式设置在封装底座的容纳腔中的芯片；陶瓷封装芯片的失效分析方法包括：对陶瓷封装芯片进行检测以确定失效管脚；向封装底座的容纳腔中注入能够固化的胶体以覆盖芯片；使用灌封材料将陶瓷封装芯片进行灌封；从封装底座背离芯片的一侧进行研磨直至芯片背面的硅衬底露出；对失效管脚进行加电，从芯片背面通过微光显微镜和镭射光束诱发阻抗值变化测试确定热点；待热点确定以后，通过热点寻找到相对应的失效点。本申请能够解决当芯片采用焊接方式进行陶瓷封装时且芯片的金属层数过多时无法对芯片进行失效分析的问题。
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公开(公告)号：CN111257718A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010146832.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
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公开(公告)号：CN212622912U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020258053.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN219065015U
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202223278995.7
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: 一种气体成份分析系统中气体收集装置，属于气体成份分析系统结构技术领域。包括工装夹具箱体(1)、气体收集室(2)、穿刺针(3)、气体传递通道(4)，工装夹具箱体(1)位于气体收集室(2)正上方，3个针头向下位于工装夹具箱体(1)内，柱体从工装夹具箱体(1)正上方向下伸入工装夹具箱体(1)内能够在工装夹具箱体(1)中进行上下推进，且柱体与工装夹具箱体(1)组成密封的活塞结构；在工装夹具箱体(1)内针头的正下方固定底托(5)用于托住待刺破的含待测气体的产品，气体收集室的侧面通过气体传递通道与分析系统的检测腔室连通。使穿刺方式更加灵活，适用于不同封装和大小的样品，同时增加气体收集量。
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