一种MXene银纳米线复合薄膜柔性应变传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116332121A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310229882.8

    申请日:2023-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种MXene银纳米线复合薄膜柔性应变传感器及其制备方法,包括以下步骤:步骤1,获得MXene分散液;步骤2,获得银纳米线分散液;步骤3,得到MXene/银纳米线复合薄膜;步骤4,对MXene/银纳米线复合薄膜贴上导线进行封装,步骤1中MXene分散液中MXene用量为20mg,步骤2中银纳米线分散液中银纳米线长度为10‑20微米,步骤3中MXene/银纳米线分散液中MXene与银纳米线的质量比为2:1、2:2、2:4中的一种,制备过程采用将MXene/银纳米线分散液均匀分散、真空过滤在工具膜上,获得具有三维导电网络结构MXene/银纳米线复合薄膜。本发明该制备方法简便可行,具有较低的生产成本,易于量化生产。本发明制备得到的柔性应变传感器在0‑1%应变下,灵敏度高达9472。检测极限低至0.05%。

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