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公开(公告)号：CN116148639A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310316694.9
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种硅基芯片电离辐照敏感位置的识别方法，涉及电离辐照效应评估领域，获取硅基芯片所配置的晶体管的编号分类信息；设定辐射源进行电离辐射的总剂量和中间辐照测试取样的剂量点；利用微纳探针对未进行电离辐射的晶体管进行电学测试，得到由编号分类信息对应的晶体管的第一电学参数；利用辐射源对硅基芯片所配置的晶体管进行辐照，在辐照时间达到剂量点对应的预设时间时，利用微纳探针对已进行电离辐射的晶体管进行测试，得到由编号分类信息对应的晶体管的第二电学参数；在由编号分类信息对应的晶体管的第一电学参数和第二电学参数的变化程度超出预设阈值时，基于编号分类信息识别出硅基芯片的电离辐射敏感位置。
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公开(公告)号：CN115096802B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210761127.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种模拟温度、湿度、气氛、辐射共存环境的复合加载样品台，包括气氛罐、温度控制组件、盐雾组件、传感器组件、屏蔽铅盒和控制组件，气氛罐内部放置有待测样品，气氛罐置于辐射场所内；温度控制组件、盐雾组件设置在气氛罐内；传感器组件包括探头组件和模块组件，探头收件设置在气氛罐内，控制组件设置在屏蔽铅盒内；本发明通过盐雾组件和温度控制组件对待测样品所处的环境进行调整，从而实现了模拟复合环境的目的，解决了目前实验装置在辐射场所中无法实现多种因素同时复合的问题，本发明实现辐射、温度、气氛、湿度多种因素复合加载，是无源单位实现复合环境效应评估及利用复合环境调控器件和材料性质的重要基础。
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公开(公告)号：CN116121723A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310097774.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种光致发光薄膜离子注入改性的制备方法，向光致发光薄膜注入非金属离子，后在气氛氛围中进行退火处理；所述非金属离子包括硼、氟、磷、氩以及砷中的至少一种；所述非金属离子的注入剂量为1×1011cm‑2～1×1016cm‑2，注入能量强度为5keV～200keV。本发明公开的制备方法具有所需时间短、相对现有方法更简单以及容易操作的优点。将一定剂量和一定能量强度的非金属离子注入光致发光薄膜中，后在气氛氛围中进行退火处理，从而实现对光致发光薄膜的改性。改性后的光致发光薄膜在波长为390nm附近的发光强度明显增强，且在室温下发光稳定。
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公开(公告)号：CN107589361B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710796063.6
申请日：2017-09-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法，基本原理是：首先，通过可见光照射衬底激发自由载流子，同时施加一定电压将载流子注入二氧化硅层中，被陷阱能级俘获；然后，通过线性升温的方法将被陷阱俘获的束缚载流子重新激发出来，变成自由载流子，测量这部分载流子贡献的电流随温度的变化曲线；最后，根据热刺激电流模型，得到二氧化硅中陷阱的能级分布。本发明的测量方法采用可见光和加电压向二氧化硅中注入载流子，避免了使用X光照射注入载流子的方式，以及其对二氧化硅的进一步损伤。
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公开(公告)号：CN106990161B
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201710120217.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明公开了一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法，该系统包括一次离子源、惰性元素离子源、坑深测量仪、二次离子质谱仪、离子信号检测仪等部分。使用脉冲工作模式的惰性元素离子束刻蚀去除多层结构的已测试层，既避免刻蚀坑边缘材料被溅射到坑中心而对坑内待测二次离子信号形成干扰，提高了深度剖析的分辨率，同时也减小了坑深深度，有效抑制了溅射坑底的表面粗糙度。本发明的系统和方法对实际分析测试具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108375601A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810003744.7
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N24/10
Abstract: 本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。本发明测量方法简单，容易掌握，对于半导体器件氧化层中缺陷研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107589361A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710796063.6
申请日：2017-09-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法，基本原理是：首先，通过可见光照射衬底激发自由载流子，同时施加一定电压将载流子注入二氧化硅层中，被陷阱能级俘获；然后，通过线性升温的方法将被陷阱俘获的束缚载流子重新激发出来，变成自由载流子，测量这部分载流子贡献的电流随温度的变化曲线；最后，根据热刺激电流模型，得到二氧化硅中陷阱的能级分布。本发明的测量方法采用可见光和加电压向二氧化硅中注入载流子，避免了使用X光照射注入载流子的方式，以及其对二氧化硅的进一步损伤。
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公开(公告)号：CN116646246A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310706680.8
申请日：2023-06-14
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/66 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入的双极工艺芯片抗电离辐射加固方法，包括：获得敏感位置，减薄芯片电路指定电路或指定区域的钝化层，和/或减薄金属层的厚度，获得结构优化器件；对所述结构优化器件进行离子注入；退火处理修复离子注入造成的损伤。本发明基于晶体管器件结构设计优化，以显著降低待注入离子的射程，器件的抗辐照能力显著提高，利用商业化离子注入设备，开展双极工艺芯片指定器件(敏感)或指定器件区域氧化硅层特异化离子注入，进而实现电子芯片抗电离辐射加固工艺低成本、快速、高自由度开发。
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公开(公告)号：CN115132915A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210759560.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/253
Abstract: 本发明公开了一种基于电离辐照提升压电材料性能的方法，射线辐照使压电材料电离，以提高压电材料的铁电性能，在辐照之前先对压电材料进行高真空镀膜，能够进一步提高压电材料的铁电性能。本发明通过特定剂量的辐照对压电材料进行处理，实现大规模或者超大规模的批量化提升性能且提升可控，相比传统的性能提升方法，无需更改压电材料的制备工艺，采用特定剂量辐照器件，节约了改进设备、产线、工艺的成本，利于大规模推广。
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公开(公告)号：CN106990161A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710120217.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明公开了一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法，该系统包括一次离子源、惰性元素离子源、坑深测量仪、二次离子质谱仪、离子信号检测仪等部分。使用脉冲工作模式的惰性元素离子束刻蚀去除多层结构的已测试层，既避免刻蚀坑边缘材料被溅射到坑中心而对坑内待测二次离子信号形成干扰，提高了深度剖析的分辨率，同时也减小了坑深深度，有效抑制了溅射坑底的表面粗糙度。本发明的系统和方法对实际分析测试具有重要意义。
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