公开(公告)号：CN107365959A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710445413.4

申请日：2017-06-14

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 于翔 ,  刘飞 ,  任毅 ,  张震

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/0635 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金表面磁控溅射沉积非晶SiC薄膜，利用真空退火在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质。所述方法能够在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质，克服了传统传感器灵敏度低、寿命短，易衰减等缺陷，为空间钻探用石墨烯复合传感器提供了新的合成方法，为金属催化SiC合成石墨烯研究和应用提供了新的思路。

公开(公告)号：CN107340307A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710487136.3

申请日：2017-06-23

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 于翔 ,  刘飞 ,  任毅 ,  张震

IPC: G01N23/22 ,  G01N23/207 ,  G01N21/65 ,  G01N3/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

CPC classification number: G01N23/22 ,  C23C14/0611 ,  C23C14/54 ,  G01N3/08 ,  G01N21/65 ,  G01N23/2076 ,  G01N2203/0019 ,  G01N2203/0078 ,  G01N2203/0282 ,  G01N2203/0641

Abstract: 本发明公开了一种分析β-SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层，通过对沉积温度的调控，获得不同表面形貌和组织特性的β-SiC过渡层；利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜；利用扫描电镜观察样品的表面形貌，利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化，利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化，利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能。所述方法通过研究沉积温度对磁控溅射β-SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响，低温沉积β-SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响，揭示了β-SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。

公开(公告)号：CN107365959B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201710445413.4

申请日：2017-06-14

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 于翔 ,  刘飞 ,  任毅 ,  张震

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金表面磁控溅射沉积非晶SiC薄膜，利用真空退火在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质。所述方法能够在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质，克服了传统传感器灵敏度低、寿命短，易衰减等缺陷，为空间钻探用石墨烯复合传感器提供了新的合成方法，为金属催化SiC合成石墨烯研究和应用提供了新的思路。