-
公开(公告)号：CN103100715A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310018888.7
申请日：2013-01-18
申请人： 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
摘要： 本发明提出一种二次电子发射铍铜板带的加工方法，这种板材的成分配比为：Be:2.7-3.0wt.%，Ni：≤0.31wt.%，Fe≤0.058wt.%，Al≤0.013wt.%，Si≤0.028wt.%，Pb:≤0.0020wt.%，Cd:≤0.0020wt.%，Zn:≤0.0020wt.%，其它杂质元素之和≤0.43wt.%，其余为Cu。具体的轧制工艺为：利用增塑挤压方法制造坯料；加热坯料保温；配合中间退火工艺，在轧制机器上进行多道次的轧制，配合酸洗；轧制后进行相应的热处理，得到相应规格的板材。本发明加工的发射铍铜板带二次电子发射峰值能到10以上，远远超过目前峰值为6的水平。
-
公开(公告)号：CN103100715B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310018888.7
申请日：2013-01-18
申请人： 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
摘要： 本发明提出一种二次电子发射铍铜板带的加工方法，这种板材的成分配比为：Be:2.7‑3.0wt.%，Ni：≤0.31wt.%，Fe≤0.058wt.%.Al≤0.013wt.%,Si≤0.028wt.%Pb:≤0.0020wt.%,Cd:≤0.0020wt.%,Zn:≤0.0020wt.%,其它杂质元素之和≤0.43wt.%，其余为Cu。具体的轧制工艺为：利用增塑挤压方法制造坯料；加热坯料保温；配合中间退火工艺，在轧制机器上进行多道次的轧制，配合酸洗；轧制后进行相应的热处理，得到相应规格的板材。本发明加工的发射铍铜板带二次电子发射峰值能到10以上，远远超过目前峰值为6的水平。
-
公开(公告)号：CN103074514A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310018846.3
申请日：2013-01-18
申请人： 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
IPC分类号： C22C9/00
摘要： 本发明提出一种二次电子发射用铍铜合金材料，其在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性（在500~600V达到峰值），合金质量百分成分为：含铍2.7-3.0wt.%，含镍≤0.31wt.%，含铁≤0.058wt.%，含铝≤0.013wt.%,含硅≤0.028wt.%，含铅≤0.0020wt.%,含镉≤0.0020wt.%,含锌≤0.0020wt.%,其它杂质元素之和≤0.43wt.%。本发明在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性，在500~600V达到峰值，峰值能到9以上，远远超过目前峰值为5的水平。
-
公开(公告)号：CN102337486A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110282458.7
申请日：2011-09-22
申请人： 中南大学
摘要： 本发明涉及一种高强度高导电低铍无钴铜合金的热处理工艺，其合金重量百分成分为：Be：0.15~0.5%，Ni：1~2.1%，其余为Cu及不可避免的微量杂质。热处理工艺包含：在910-930℃进行固溶淬火、之后进行8%~40%的预冷变形和440℃~490℃保温2~3小时的时效处理。该低铍无钴铜合金运用本发明所述的热处理工艺后强度得到大幅度提高，抗拉强度可达710MPa~830MPa，屈服强度可达550MPa~735MPa；相对电导率在45~65%IACS。通过本发明得到的热处理工艺制度，可使该低铍无钴铜合金产品在保持高的导电性能的同时，力学性能得到大幅提高，能部分取代价格昂贵、污染严重的高铍铜合金及含钴低铍铜合金。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.059 秒)
