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公开(公告)号：CN115510593A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211361602.0
申请日：2022-11-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM的MR阻尼器的逆向映射模型，包括输入层、输出层和隐藏层，其中，隐藏层的数量为多个，每个隐藏层包括多个网络单元，每个网络单元包括输入门、遗忘门、输出门和单元状态，输入门用于控制当前时刻的输入信息保存到当前时刻单元状态中的占比，遗忘门用于控制上一时刻的单元状态保留到当前时刻单元状态中的占比，输出门用于控制当前的单元状态Ct能够作为当前的输出值ht的数量，输出层还连接一个单层全连接神经网络用于输出特征。本发明提供的基于LSTM的MR阻尼器的逆向映射模型，以实现结构的半主动控制，解决了基于MR阻尼器半主动控制系统控制器设计困难的问题，充分发挥半主动控制装置的优势，到理想的拉索减振效果。
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公开(公告)号：CN115407666A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211362132.X
申请日：2022-11-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及斜拉桥的拉索振动控制技术领域，公开了一种基于LSTM逆向模型的半主动控制方法、装置、设备和存储介质，其中，方法包括：获取t时刻斜拉桥拉索的响应；将活塞杆的速度和位移输入预设的算法进行计算，得到最优控制力Fture，并输入预设的模型，得到输入电流；将输入电流和t时刻活塞杆的速度、位移发送至MR阻尼器，以输出阻尼力Fpre，并作用在拉索‑阻尼器连接处，使t=t+1，返回获取t时刻斜拉桥拉索的响应的步骤。本发明提供的方法、装置、设备和存储介质，可用于MR阻尼器的LSTM逆模型半主动控制，实现对MR阻尼器的实时、精准控制，减轻斜拉索的振动。
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公开(公告)号：CN115407666B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211362132.X
申请日：2022-11-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及斜拉桥的拉索振动控制技术领域，公开了一种基于LSTM逆向模型的半主动控制方法、装置、设备和存储介质，其中，方法包括：获取t时刻斜拉桥拉索的响应；将活塞杆的速度和位移输入预设的算法进行计算，得到最优控制力Fture，并输入预设的模型，得到输入电流；将输入电流和t时刻活塞杆的速度、位移发送至MR阻尼器，以输出阻尼力Fpre，并作用在拉索‑阻尼器连接处，使t=t+1，返回获取t时刻斜拉桥拉索的响应的步骤。本发明提供的方法、装置、设备和存储介质，可用于MR阻尼器的LSTM逆模型半主动控制，实现对MR阻尼器的实时、精准控制，减轻斜拉索的振动。
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公开(公告)号：CN115510593B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211361602.0
申请日：2022-11-02
Applicant: 中南大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06N3/006 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06N3/0442 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM的MR阻尼器逆向映射模型计算方法，包括输入层、输出层和隐藏层，其中，隐藏层的数量为多个，每个隐藏层包括多个网络单元，每个网络单元包括输入门、遗忘门、输出门和单元状态，输入门用于控制当前时刻的输入信息保存到当前时刻单元状态中的占比，遗忘门用于控制上一时刻的单元状态保留到当前时刻单元状态中的占比，输出门用于控制当前的单元状态Ct能够作为当前的输出值ht的数量，输出层还连接一个单层全连接神经网络用于输出特征。本发明提供的基于LSTM的MR阻尼器逆向映射模型计算方法，以实现结构的半主动控制，解决了基于MR阻尼器半主动控制系统控制器设计困难的问题，充分发挥半主动控制装置的优势，到理想的拉索减振效果。
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