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公开(公告)号：CN106519580B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201611012263.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 中南大学
IPC: C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/02 , C08K7/06 , C08K7/14 , C08K3/36 , C08K7/10 , C08J5/24 , B29C70/34 , B29C70/54
Abstract: 本发明涉及一种纤维复合材料杆及其制备方法和应用，主要涉及含一种碳纤维布和玻璃纤维布的复合材料杆及其制备方法和应用。其制备方法包括：步骤一、纤维表面的预处理；步骤二、浸渍液的制备；步骤三、纤维布的叠放与浸渍；步骤四、纤维布的卷制；步骤五、固化及脱模；步骤六、第i节杆的制备；步骤七、连接；经过这七个步骤可得到一根完整的复合杆。本发明的生产工艺简单易控，所制备的杆体具有优良的力学性能和耐环境腐蚀性，同时杆体的质量大幅度减轻，这使得运输、安装以及后期维护维修变得更加方便且成本降低，本发明可应用于路灯杆、电线杆、广告牌杆、民用建筑等。
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公开(公告)号：CN107353015A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710671197.5
申请日：2017-08-08
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B38/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅-氮化硅多孔复合陶瓷制备方法，该方法包括以下步骤1)将聚碳硅烷粉体置于真空或保护气氛下进行热处理；2)将凝胶单体、交联剂及分散剂溶解分散至水中得到预混液，所述预混液与烧结助剂粉体、氮化硅粉体及热处理过的聚碳硅烷粉体混合，得到浆料；3)所述浆料经过球磨后，采用注模法制备坯体；4)所述坯体经过干燥、烧结，即得。该方法可以实现碳化硅-氮化硅复合陶瓷的碳化硅含量和气孔率同时在较大范围内任意调控，制备出孔隙均匀的多孔陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106519580A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611012263.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 中南大学
IPC: C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/02 , C08K7/06 , C08K7/14 , C08K3/36 , C08K7/10 , C08J5/24 , B29C70/34 , B29C70/54
CPC classification number: C08K13/06 , B29C70/34 , B29C70/54 , C08J5/24 , C08J2363/00 , C08K3/36 , C08K7/06 , C08K7/10 , C08K7/14 , C08K9/02 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L63/00
Abstract: 本发明涉及一种纤维复合材料杆及其制备方法和应用，主要涉及含一种碳纤维布和玻璃纤维布的复合材料杆及其制备方法和应用。其制备方法包括：步骤一、纤维表面的预处理；步骤二、浸渍液的制备；步骤三、纤维布的叠放与浸渍；步骤四、纤维布的卷制；步骤五、固化及脱模；步骤六、第i节杆的制备；步骤七、连接；经过这七个步骤可得到一根完整的复合杆。本发明的生产工艺简单易控，所制备的杆体具有优良的力学性能和耐环境腐蚀性，同时杆体的质量大幅度减轻，这使得运输、安装以及后期维护维修变得更加方便且成本降低，本发明可应用于路灯杆、电线杆、广告牌杆、民用建筑等。
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公开(公告)号：CN106431448A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610915161.2
申请日：2016-10-20
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C04B35/80 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B41/5064 , C04B41/5059
Abstract: 本发明涉及一种氮化硼/碳化硅复合涂层及其制备方法。所述复合涂层包括氮化硼层和碳化硅层；所述氮化硼层的层数为n，且第一层氮化硼包覆在纤维或纤维预制体上；所述碳化硅层的层数为m；且第一层碳化硅包覆在第一层氮化硼上；所述n、m均为整数。其制备方法为；将经过表面预处理的纤维或纤维预制体置于溶液A中，超声浸渍并烘干，得到物质B，然后将物质B置于溶液C中，超声浸渍并烘干，得到物质D；所述溶液A中含硼酸、尿素，溶液C中含聚碳硅烷；最后将物质D置于炉中，在保护气氛下于1000℃-1500℃进行裂解，得到氮化硼/碳化硅复合涂层。本发明涂层结构设计合理，实施工艺简单，可操作性强，所得产品性能优良，便于工业化应用。
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公开(公告)号：CN119330717A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411565066.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种(Hf,Ta,Zr,Nb)C高熵碳化物粉体及其制备方法，所述制备方法为：（1）将不同比例的HfC、TaC、ZrC和NbC粉体球磨后干燥、过筛得到混合粉体；（2）在真空或惰性气体中，通过高温烧结混合粉体，冷却后可直接得到(Hf,Ta,Zr,Nb)C高熵碳化物粉体；（3）通过控制保温时间以及烧结后的球磨工艺，可实现粉体粒径调控。本发明所述方法合成的微米级(Hf,Ta,Zr,Nb)C高熵碳化物粉体粒径尺寸可控，调控范围为0.1μm~1 mm，粉体纯度高、成分均匀且易调控，制备方法简单，有利于批量化生产推动高熵碳化物粉体的产业化应用。
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公开(公告)号：CN107353015B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710671197.5
申请日：2017-08-08
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/571 , C04B35/622 , C04B38/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅‑氮化硅多孔复合陶瓷制备方法，该方法包括以下步骤1)将聚碳硅烷粉体置于真空或保护气氛下进行热处理；2)将凝胶单体、交联剂及分散剂溶解分散至水中得到预混液，所述预混液与烧结助剂粉体、氮化硅粉体及热处理过的聚碳硅烷粉体混合，得到浆料；3)所述浆料经过球磨后，采用注模法制备坯体；4)所述坯体经过干燥、烧结，即得。该方法可以实现碳化硅‑氮化硅复合陶瓷的碳化硅含量和气孔率同时在较大范围内任意调控，制备出孔隙均匀的多孔陶瓷。
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公开(公告)号：CN119330738A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411565065.0
申请日：2024-11-05
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种碳碳复合材料的致密化方法，将碳纤维预制体进行化学气相渗透热解碳增密获得碳碳坯体，将碳碳坯体进行石墨化处理获得碳碳复合坯料，再将碳碳复合坯料进行高温高压烧结，即得碳碳复合材料，本发明利用基体碳的蠕变，即通过高温恒载荷下基体碳的塑性变形实现致密化，本发明提供的致密化工艺简单易调控，对材料损伤小，无杂质引入，有利于制备高性能碳碳复合材料。
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