一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108258117A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611232188.8

    申请日:2016-12-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器,包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。

    一种高效率无机钙钛矿太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108649124A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810502973.3

    申请日:2018-05-23

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种一步溶液法制备高效平面异质结无机钙钛矿太阳电池及其制备方法,钙钛矿太阳能电池包括基底、电子传输层,钙钛矿材料光吸收层、空穴传输层以及电极五部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;使用旋涂方式制备二氧化锡电子传输层;配制钙钛矿材料先驱体溶液;使用旋涂法或刮涂法或印刷法及闪退火工艺制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液及在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有热稳定性高、工艺简单、高效率等优点,具有重要的应用前景。

    一种基于涂布转移技术制备超级电容器的方法

    公开(公告)号:CN107154313A

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201610836864.6

    申请日:2016-09-21

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: H01G11/86

    Abstract: 本发明公开了一种基于涂布转移技术制备超级电容器的方法;通过配制的粘结剂和活性物质混合浆料,基于涂布工艺技术制备成电极极片,然后通过压力转移技术转移到泡沫镍集流体,结合隔膜和电解液或离子液体,组装成超级电容器;该超级电容器的涂布转移技术制备方法快速高效、性能优异、重复性好、成本低,具有广泛的应用前景。

    一种高效率无机钙钛矿太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108649124B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201810502973.3

    申请日:2018-05-23

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种一步溶液法制备高效平面异质结无机钙钛矿太阳电池及其制备方法,钙钛矿太阳能电池包括基底、电子传输层,钙钛矿材料光吸收层、空穴传输层以及电极五部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;使用旋涂方式制备二氧化锡电子传输层;配制钙钛矿材料先驱体溶液;使用旋涂法或刮涂法或印刷法及闪退火工艺制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴溶液及在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴空穴传输层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有热稳定性高、工艺简单、高效率等优点,具有重要的应用前景。

    一种柔性氧化铟锡透明导电薄膜卷对卷湿法刻蚀及图案化的方法

    公开(公告)号:CN108417313A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810208283.7

    申请日:2018-03-14

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: H01B13/00 H01B1/08

    Abstract: 本发明公开了一种柔性氧化铟锡透明导电薄膜卷对卷湿法刻蚀及图案化的方法;基于配制的保护层溶液,应用卷对卷印刷技术在柔性氧化铟锡基底上制备出厚度可控且均匀的图案化保护层薄膜,经卷对卷湿法刻蚀及图案化后,得到具有图案化且性能良好的氧化铟锡柔性基底;该卷对卷湿法刻蚀及图案化方法具有操作简单、快速高效、成本较低,能连续化大批量生产等优点,在工业生产和实际应用中具有广阔的前景。

    一种具有超窄互连宽度的有机太阳电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117858588A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410055653.3

    申请日:2024-01-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种具有超窄互连宽度的有机太阳电池组件及其制备方法。该方法包括如下步骤:在含有透明导电薄膜的基底上进行P1刻蚀,得到具有多条P1刻蚀线的导电基底;在所述导电基底上沉积功能层;其中,功能层为由下至上沉积电子传输层、有机吸收层、空穴传输层;在所述功能层上进行P2刻蚀,形成多条P2刻蚀线;先刻蚀去掉所述功能层边缘区域;在空穴传输层上沉积金属背电极层;在基底上进行P4刻蚀,得到具有多条P4刻蚀线的金属背电极;在金属背电极层上进行P5刻蚀,形成多条P5刻蚀线;进行盖板封装,即得。本发明采用紫外激光烧蚀,可以缩短单个子电池的死区宽度,提高几何填充因子,降低制备成本,利于产业化应用。

    一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108258117B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201611232188.8

    申请日:2016-12-28

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器,包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。

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