公开(公告)号：CN108258117B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201611232188.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  童思超 ,  孙佳 ,  王春花 ,  张楚俊 ,  夏华燕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器，包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法，包括以下步骤：基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿材料前驱体溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜，得到高质量钙钛矿材料光吸收层；配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层；采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN108258117A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611232188.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  童思超 ,  孙佳 ,  王春花 ,  张楚俊 ,  夏华燕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器，包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法，包括以下步骤：基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿材料前驱体溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜，得到高质量钙钛矿材料光吸收层；配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层；采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点，具有重要的应用前景。