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公开(公告)号：CN112281093A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011176671.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能镁锂合金薄带的制备工艺，包含以下步骤：(1)将镁锂合金铸锭进行均匀化退火处理；(2)将均匀化退火后的镁锂合金铸锭进行多道次热轧，道次间歇不进行中间退火，最后一次热轧后退火得到板材I；(3)将板材I进行多道次冷轧，道次间歇进行中间退火，最后一次冷轧后退火得到带材II；(4)将带材II进行多道次异步冷轧，道次间歇不进行中间退火，最后一次异步冷轧后退火得到带材III。本发明的制备工艺，能够制得厚度低至0.4mm以下的力学性能良好的镁锂合金薄带，其屈服强度为225～270MPa，抗拉强度为295～342MPa，延伸率为15％～22％。
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公开(公告)号：CN111640861A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010338931.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn-Sn-Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％-50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm-60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌-锡-锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。
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公开(公告)号：CN104233024A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410505805.1
申请日：2014-09-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种高强双相超轻的镁锂合金及其制备方法；属于轻质金属材料制备技术领域。本发明所述镁锂合金以质量百分比计包括下述组分：Li:6.0-9.0％、Al:1.0-6.0％、Y:0.01-1.0％、Ca:0.21-0.5％。本发明在普通电阻炉中进行采用熔剂覆盖+气体保护法镁锂合金的熔炼；得到了室温抗拉强度为162-190Mpa、屈服强度为150-170Mpa、延伸率为15％-30％、密度为1.43-1.48g/cm3的高强双相超轻的镁锂合金。本发明制备工艺简单，所得产品性能优良，便于产业化生产。
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公开(公告)号：CN101104930A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710035567.2
申请日：2007-08-16
Applicant: 中南大学
Abstract: 酒石酸盐镁合金表面化学转化膜导电处理溶液，该溶液组分及各组分的重量百分比为：酒石酸盐：10－15％，水杨酸盐5－10％，有机醇：1－5％，有机胺：1－5％，水：75－80％。本发明利用了化学试剂的化学特性，降低了成本，提高了效率，形成的化学转化膜电阻在1Ω以下，且这种配方适合几乎所有的镁合金化学转化膜导电处理工艺。
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公开(公告)号：CN102225459A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110158174.7
申请日：2011-06-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙锭熔炼浇注系统及制备金属钙锭的方法，包括加热装置、气压装置和浇注装置，所述的气压装置和浇注装置分别通过管道连接至加热装置，将原料放入坩埚中，关闭储气罐出口处的安全阀门，将储气罐充入氩气，关闭所有安全阀门，将还原钙或电解钙加热至溶解并保温，开启储气罐出口处的安全阀门，坩埚内液体受氩气的压力，通过管道及分流模进入浇注模。本发明突破现有人工金属钙熔炼浇注过程，浇注金属收得率低、浇注效率低等瓶颈，首次采用气体增压使钙熔体浇注，实现了金属钙熔体的半自动化浇注。同时这不仅是金属钙熔体浇注的突破，同时也是其他活泼金属或轻金属浇注技术的突破。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105755410A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610246982.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种超轻双相镁锂合金板材的制备工艺，该工艺是采用LA83?0.4Y铸锭为原材料，先进行均匀化退火处理后，线切割成板坯，板坯通过加热处理后，依次进行多道次热轧处理、去应力退火处理、多道次冷轧处理及去应力退火处理，即可以得到厚度为1mm以下，表面平整，且力学性能较好的超轻双相镁锂合金板材，该镁锂合金板材的抗拉强度为183.42～220.35MPa，屈服强度为150.01～190.74MPa，延伸率为18～35％，维氏硬度为63.09～80.05。且镁锂合金板材的制备工艺简单、低能耗、低成本，满足工业生产要求。
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公开(公告)号：CN111640861B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010338931.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌‑锡‑锑薄膜及其制备方法和应用，该薄膜由Zn和SnSb4两靶材，以SiO2/Si(100)为衬底，在氩气环境下共溅射制得，通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn‑Sn‑Sn薄膜中掺Zn的含量，并且设定Zn的含量在40％‑50％之间，控制薄膜的总厚度为40nm‑60nm。与现有相变存储材料相比，单层锌‑锡‑锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程，提升了薄膜单位面积的存储密度。
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公开(公告)号：CN116815075A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310806101.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高居里点的高熵非晶磁环的制备方法，所述高熵非晶磁环，按原子比计：Co 25～30％，Fe 25～30％，Ni 15～20％，Si 10～15％，B 10～15％。其制备方法，包括以下步骤：配置母合金，利用真空感应炉在一定温度和时间下反复多次熔炼，确保合金锭成分充分均匀，再利用单辊快淬法在非真空环境下制成非晶带材，将非晶带材卷制成磁环，通过普通热处理+纵向磁场热处理的分步热处理方式获得的非晶纳米晶磁环具有高矩形比、低矫顽力以及高饱和磁感应强度，适用于高剩磁比的开关、锁式器件、高频感应器、光伏互感器等领域。
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