铝合金的强电场时效热处理方法

    公开(公告)号:CN101570839A

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200910043209.5

    申请日:2009-04-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 2E12铝合金强电场时效热处理方法,包括下述工艺步骤:将待热处理的2E12铝合金在498~502℃固溶,出炉水淬后,放入强电场中进行时效。本发明在铝合金常规固溶处理后,利用强电场将电能直接传导到材料的原子尺度,一方面改变原子的排列、匹配和迁移等过程,另一方面,影响材料中空位的扩散过程进而影响析出相的形态和数量,使材料固态相变中发生的晶体的生长形态、大小、分布和取向等得以控制,从而控制材料的组织,使材料获得优良的综合机械性能。本发明方法简单,操作方便,通过电场来控制晶界析出相的形态和分布,同时减少晶内第二相的析出数量,有效提高了2E12铝合金的塑性和耐疲劳损伤性能;适于工业化生产。

    一种含有TaB扩散障层的新型钽基Si-Mo-ZrB2复合涂层及其三步制备法

    公开(公告)号:CN114107888B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202111376119.5

    申请日:2021-11-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明一种含有TaB扩散障层的新型Si‑Mo‑ZrB2复合涂层及其制备方法;属于超高温抗氧化涂层制备技术领域。本发明以钽及钽合金为基体,首先采用渗硼法在其表面制备硼化物扩散障层,随后在预制硼化物层坯体表面采用料浆喷涂烧结法制备Si‑Mo‑ZrB2复合涂层;最后采用卤化物包埋渗硅法提高涂层硅化物主体相含量。本发明通过三步法合理调控制备工艺,优化涂层成分,成功在基体与涂层主体之间预制了TaB扩散障层,有效阻止了涂层主体相的硅元素向基体扩散消耗,有效提高钽及钽合金超高温抗氧化性能,本发明制备工艺简单、生产成本低,所得涂层致密均匀,可在1700℃及以上的高温有氧环境下长时间稳定服役。

    铝合金的强电场时效热处理方法

    公开(公告)号:CN101570839B

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN200910043209.5

    申请日:2009-04-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 2E12铝合金强电场时效热处理方法,包括下述工艺步骤:将待热处理的2E12铝合金在498~502℃固溶,出炉水淬后,放入强电场中进行时效。本发明在铝合金常规固溶处理后,利用强电场将电能直接传导到材料的原子尺度,一方面改变原子的排列、匹配和迁移等过程,另一方面,影响材料中空位的扩散过程进而影响析出相的形态和数量,使材料固态相变中发生的晶体的生长形态、大小、分布和取向等得以控制,从而控制材料的组织,使材料获得优良的综合机械性能。本发明方法简单,操作方便,通过电场来控制晶界析出相的形态和分布,同时减少晶内第二相的析出数量,有效提高了2E12铝合金的塑性和耐疲劳损伤性能;适于工业化生产。

    一种含有TaB扩散障层的新型钽基Si-Mo-ZrB2复合涂层及其三步制备法

    公开(公告)号:CN114107888A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111376119.5

    申请日:2021-11-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明一种含有TaB扩散障层的新型Si‑Mo‑ZrB2复合涂层及其制备方法;属于超高温抗氧化涂层制备技术领域。本发明以钽及钽合金为基体,首先采用渗硼法在其表面制备硼化物扩散障层,随后在预制硼化物层坯体表面采用料浆喷涂烧结法制备Si‑Mo‑ZrB2复合涂层;最后采用卤化物包埋渗硅法提高涂层硅化物主体相含量。本发明通过三步法合理调控制备工艺,优化涂层成分,成功在基体与涂层主体之间预制了TaB扩散障层,有效阻止了涂层主体相的硅元素向基体扩散消耗,有效提高钽及钽合金超高温抗氧化性能,本发明制备工艺简单、生产成本低,所得涂层致密均匀,可在1700℃及以上的高温有氧环境下长时间稳定服役。

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