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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114107888B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111376119.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明一种含有TaB扩散障层的新型Si‑Mo‑ZrB2复合涂层及其制备方法；属于超高温抗氧化涂层制备技术领域。本发明以钽及钽合金为基体，首先采用渗硼法在其表面制备硼化物扩散障层，随后在预制硼化物层坯体表面采用料浆喷涂烧结法制备Si‑Mo‑ZrB2复合涂层；最后采用卤化物包埋渗硅法提高涂层硅化物主体相含量。本发明通过三步法合理调控制备工艺，优化涂层成分，成功在基体与涂层主体之间预制了TaB扩散障层，有效阻止了涂层主体相的硅元素向基体扩散消耗，有效提高钽及钽合金超高温抗氧化性能，本发明制备工艺简单、生产成本低，所得涂层致密均匀，可在1700℃及以上的高温有氧环境下长时间稳定服役。
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公开(公告)号：CN116240546A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310255754.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于难熔金属钽基体表面高温抗氧化涂层制备技术领域，具体是涉及一种钽基表面涂层、制备方法和高温抗氧化材料，钽基表面涂层包括依次设置在钽基表面的硅化钽层和硅化钨层，本发明有效提高其高温抗氧化性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114107888A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111376119.5
申请日：2021-11-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明一种含有TaB扩散障层的新型Si‑Mo‑ZrB2复合涂层及其制备方法；属于超高温抗氧化涂层制备技术领域。本发明以钽及钽合金为基体，首先采用渗硼法在其表面制备硼化物扩散障层，随后在预制硼化物层坯体表面采用料浆喷涂烧结法制备Si‑Mo‑ZrB2复合涂层；最后采用卤化物包埋渗硅法提高涂层硅化物主体相含量。本发明通过三步法合理调控制备工艺，优化涂层成分，成功在基体与涂层主体之间预制了TaB扩散障层，有效阻止了涂层主体相的硅元素向基体扩散消耗，有效提高钽及钽合金超高温抗氧化性能，本发明制备工艺简单、生产成本低，所得涂层致密均匀，可在1700℃及以上的高温有氧环境下长时间稳定服役。
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公开(公告)号：CN114606493A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111401799.1
申请日：2021-11-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种铌合金用含NbB2/Nb3B2复合扩散障的Mo‑W‑ZrB2‑YSZ‑Si超高温抗氧化涂层及其制备方法，属于高温抗氧化涂层领域。该涂层主要包括NbB2/Nb3B2复合扩散障和Mo‑W‑ZrB2‑YSZ‑Si硅化物涂层主体。本发明采用新型三步法制备，即卤化物活化包埋法制备NbB2/Nb3B2复合扩散障，料浆浸涂和高温真空烧结法在扩散障表面继续制备Mo‑W‑ZrB2‑YSZ‑Si涂层胚体，最后采用高温硅化法制得Mo‑W‑ZrB2‑YSZ‑Si涂层。本发明涂层结构组分设计合理，制备工艺简单可控，所得产品性能优良，便于大规模工业化应用。
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