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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115567025A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211287702.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及滤波领域的层状结构，具体为一种多层结构无杂散响应SH型声表面波滤波器及制备方法。解决了现有声表面波滤波器工作频率较低、通带较窄、温度稳定性较差和存在杂散谐波等问题。一种多层结构无杂散响应SH型声表面波滤波器，包括多层异质晶圆衬底以及分布在衬底上方的多组金属叉指换能器；所述多层异质晶圆衬底包括自上而下叠压的LiTaO3压电层、SiO2薄膜和SiC衬底；其中LiTaO3压电层与SiO2薄膜的厚度均为0.4λ，λ为声表面波滤波器的波长；每组金属叉指换能器、反射栅及其下方的多层异质晶圆衬底组成一个谐振器，多个谐振器采用级联型梯形结构连接在一起，构成滤波器芯片。
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公开(公告)号：CN114938214A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210714602.8
申请日：2022-06-23
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提出了一种由薄的LiNbO3薄膜和SiC组成的多层波导SAW谐振器结构和梯型电路优化方案。该SAW谐振器结构由下至上依次为SiC高速衬底、64°Y‑X LiNbO3压电薄膜、换能器叉指电极，通过将声波引导于低声速区域中传播，强化激发主模声波，消除杂波影响，降低插入损耗，最后将用于串联的谐振器和用于并联的谐振器采用梯型电路优化方案制作成SAW滤波器。采用本结构的SAW滤波器具有大带宽和低插入损耗，能够使其工作时具有较优性能。
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公开(公告)号：CN118100861A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410315285.1
申请日：2024-03-19
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及移动通信设备领域，具体为一种抑制横向模式的三段式菱形加权SAW谐振器。解决了目前声表面波滤波器在主模附近伴随着各阶横向杂散模式，而现有的横向模式的抑制方法存在激励区域损失过大以及Q因子下降显著的技术问题。本发明在压电衬底上方的叉指换能器采用三段式菱形加权结构，此时孔径区域的有效激励面积能够很好地符合主模的横向位移特性，进而有效地激发主模并抑制其它横向模式的产生。同时，相比传统的菱形加权和余弦加权，三段式菱形加权结构的有效孔径面积更大，声波在衬底表面传播过程中的辐射减弱，因此主模的Q值得以改善。
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公开(公告)号：CN116781034A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310846434.2
申请日：2023-07-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及移动通信设备领域，具体为一种具备横向模式抑制的双层电极分区调制式SAW谐振器。所述SAW谐振器包括自下而上的多层衬底以及双层叉指电极；所述SAW谐振器在沿叉指电极走向的方向上从中心到两侧分为波导区域、慢速区域、快速区域、汇流条区域以及自由表面区域；双层叉指电极的下层为Al电极，波导区域、慢速区域和汇流条区域的上层电极为Cu电极，快速区域的上层电极为原子序数大于Cu的金属电极；各区域双层电极的厚度相同，但上下两层电极的厚度取值不同。本发明所述SAW谐振器的电极对数降至数十对，相比于单层电极谐振器的尺寸缩小近3倍，同时实现大范围的横向模式抑制，且Q值相比于无抑制时提高约2倍。
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公开(公告)号：CN115425944A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211154698.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及移动通信设备领域，具体为一种具有大带宽的楔形空腔SAW（声表面波）谐振器。本发明在叉指电极下方的SiC高速衬底上开了楔形空腔，通过对SiC高速衬底部分刻蚀楔形空腔，使得SAW场和叉指电极（IDT）产生的电场更好的匹配，从而产生更剧烈的位移，更有效的激发主模声波，抑制杂散模式，增强机电耦合系数K2。
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