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公开(公告)号:CN116781034A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310846434.2
申请日:2023-07-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及移动通信设备领域,具体为一种具备横向模式抑制的双层电极分区调制式SAW谐振器。所述SAW谐振器包括自下而上的多层衬底以及双层叉指电极;所述SAW谐振器在沿叉指电极走向的方向上从中心到两侧分为波导区域、慢速区域、快速区域、汇流条区域以及自由表面区域;双层叉指电极的下层为Al电极,波导区域、慢速区域和汇流条区域的上层电极为Cu电极,快速区域的上层电极为原子序数大于Cu的金属电极;各区域双层电极的厚度相同,但上下两层电极的厚度取值不同。本发明所述SAW谐振器的电极对数降至数十对,相比于单层电极谐振器的尺寸缩小近3倍,同时实现大范围的横向模式抑制,且Q值相比于无抑制时提高约2倍。
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公开(公告)号:CN118100861A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410315285.1
申请日:2024-03-19
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及移动通信设备领域,具体为一种抑制横向模式的三段式菱形加权SAW谐振器。解决了目前声表面波滤波器在主模附近伴随着各阶横向杂散模式,而现有的横向模式的抑制方法存在激励区域损失过大以及Q因子下降显著的技术问题。本发明在压电衬底上方的叉指换能器采用三段式菱形加权结构,此时孔径区域的有效激励面积能够很好地符合主模的横向位移特性,进而有效地激发主模并抑制其它横向模式的产生。同时,相比传统的菱形加权和余弦加权,三段式菱形加权结构的有效孔径面积更大,声波在衬底表面传播过程中的辐射减弱,因此主模的Q值得以改善。
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