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公开(公告)号：CN101211980A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710302157.X
申请日：2007-12-17
Applicant: 东部高科股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/66568 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开一种能够防止衬底电流形成的高压半导体器件。制造高压半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成阱，在部分半导体衬底中形成器件隔离薄膜，在半导体衬底的表面下方形成一组漂移区，在半导体衬底的表面上形成栅极以与至少一个漂移区的部分相重叠，以及在形成于栅极对侧上的半导体衬底漂移区的表面下方形成源极和漏极区域。有利地，半导体器件的衬底电流将并提高了操作耐电压，改善了高压晶体管的特性。
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