高压半导体器件及其制造方法

Invention Publication

CN101211980A 高压半导体器件及其制造方法无效 - 撤回

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Patent Title: 高压半导体器件及其制造方法
Patent Title (English): High voltage semiconductor device and its fabrication method
Application No.: CN200710302157.X

Application Date: 2007-12-17
Publication No.: CN101211980A

Publication Date: 2008-07-02
Inventor: 金知泓 , 丁详勋
Applicant: 东部高科股份有限公司
Applicant Address: 韩国首尔
Assignee: 东部高科股份有限公司
Current Assignee: 东部高科股份有限公司
Current Assignee Address: 韩国首尔
Agency: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
Agent 徐金国; 梁挥
Priority: 10-2006-0137277 2006.12.29 KR
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L27/04 ; H01L21/336 ; H01L21/8234

Abstract:

本发明公开一种能够防止衬底电流形成的高压半导体器件。制造高压半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成阱，在部分半导体衬底中形成器件隔离薄膜，在半导体衬底的表面下方形成一组漂移区，在半导体衬底的表面上形成栅极以与至少一个漂移区的部分相重叠，以及在形成于栅极对侧上的半导体衬底漂移区的表面下方形成源极和漏极区域。有利地，半导体器件的衬底电流将并提高了操作耐电压，改善了高压晶体管的特性。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的