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公开(公告)号：CN118247543A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410103635.8
申请日：2024-01-25
申请人： 东莞华南设计创新院
IPC分类号： G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06V10/74 , G06T7/11 , G06T7/62
摘要： 本发明公开了一种基于自主学习的多尺度火焰图像检测方法，属于图像检测技术领域。包括火焰图像采集，获得初始火焰图像；将获得的初始火焰图像输入自主学习卷积神经网络模型进行火焰图像检测；分析火焰图像检测结果，并获得分析结果集；将分析结果集反馈输入到自主学习卷积神经网络模型，对自主学习卷积神经网络模型进行调整和训练；其中，卷积神经网络模型为多尺度卷积神经网络模型。通过将火焰图像检测结果进一步反馈至自主学习卷积神经网络模型，进行模型的修正调整和再训练，形成闭环反馈；同时将BI M技术与无监督学习算法结合进行火焰图像还原。本发明最大程度的还原火焰现场，进一步提高火情检测的准确性及火情预警决策的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN109788597B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201711116251.6
申请日：2017-11-13
IPC分类号： H05B45/345 , H05B45/50
摘要： 本发明提供一种恒流驱动智能灯具，包括输入模块、恒流驱动控制模块、过电保护电路模块、第一检测模块、温度补偿模块、第二检测模块和输出模块；所述输入模块与所述恒流驱动控制模块一端连接，所述恒流驱动控制模块另一端与所述过电保护电路模块一端连接，所述过电保护电路模块另一端与输出端连接；所述恒流驱动控制模块还与所述第一检测模块一端连接，所述第一检测模块另一端与温度补偿模块一端连接，所述温度补偿模块另一端与所述第二检测模块的一端连接，所述第二检测模块的另一端与输出模块连接。本发明结构简单，成本低廉，能够有效控制电压因受温度影响产生很大的飘移，进而引起反馈信号的变化，保证灯具电气性能的均匀稳定。
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公开(公告)号：CN109889414A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201711277846.X
申请日：2017-12-06
摘要： 本发明提供一种智能家居系统，包括安装在床上的用于检测是否有人体存在的数个称重传感器，各称重传感器同时与一控制器连接；所述控制器还分别与床头灯控制电路、室内空调系统控制电路、以及室内净化设备控制电路连接；在床头上方设有与控制器连接的睡眠识别模块；所述室内净化设备包括净化器主机以及用于控制净化器主机启停的检测模块。本发明充分的考虑到了日常生活中人们的作息特点，全自动化控制室内设施，当人体进入睡眠状态时，控制器会发出确认睡眠指令，控制床头灯熄灭，控制其它相应的设施或低功耗降噪运行，或调解到舒适睡眠的运行条件，保证室内人员舒适的睡眠环境。
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公开(公告)号：CN106128957B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610615915.2
申请日：2016-07-29
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306
摘要： 本发明公布了一种GaAs纳米线制作方法，该制作方法步骤如下：准备一砷化镓衬底、一InGaP缓冲层和一砷化镓沟道层的材料结构；在砷化镓沟道层中刻蚀出50纳米宽的脊状图形；然后在臭氧去胶机中进行20分钟的处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理，再采用稀释的磷酸进行清洗的方法处理5‑10次；最后得到10‑20纳米宽的GaAs纳米线。
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公开(公告)号：CN106024904B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610613952.X
申请日：2016-07-29
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明公布了一种自对准GaAs沟道PMOS器件结构，其结构如下：一N型砷化镓沟道层；一在该N型砷化镓沟道层源端上的InGaP刻蚀截止层；一在该InGaP刻蚀截止层上的P型GaAs欧姆接触层；一在该P型GaAs欧姆接触层上形成的源端金属电极；一在该N型砷化镓沟道层与源端材料层上的氧化铝介质层；一在该氧化铝介质层上形成的栅金属电极；一在该N型砷化镓沟道层上形成的P型欧姆接触区域；一在该P型欧姆接触区域上形成的漏端金属电极。
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公开(公告)号：CN106057904B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610624781.0
申请日：2016-07-29
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/161
摘要： 本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。
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公开(公告)号：CN107731016A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710936370.X
申请日：2017-10-10
申请人： 东莞华南设计创新院
IPC分类号： G09B5/02
CPC分类号： G09B5/02
摘要： 本发明公开了一种基于虚拟现实的化工培训系统，它包括：模型创建模块、虚拟现实模块和人机交互模块，其中，所述虚拟现实模块首先通过显示屏将三维虚拟场景展现出来，再通过VR眼镜从显示屏上看到三维虚拟模块创建的虚拟场景、人物、仪器设备、药品耗材以及开关按钮模块；所述显示屏为触摸式显示屏，亦是人机交互模块的重要组成部分，当人手按压或者贴着所述显示屏滑动时，将触发虚拟常景中人物的出现并转换成所述人物开启/关闭开关按钮或移动仪药品耗材的操作。本发明首次将VR技术应用于化工培训领域，整体系统简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN107682601A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710943436.8
申请日：2017-10-11
申请人： 东莞华南设计创新院
CPC分类号： H04N5/2254 , B60R11/04 , G03B17/561 , H04N5/23238
摘要： 本发明公开了一种VR全景手持云台，其特征在于：包括手柄、设置于手柄顶端的第一旋转电机、一端设置在所述第一旋转电机上的第一连接杆、设于第一连接杆另一端的第二旋转电机、一端设置在所述第二旋转电机上的第二连接杆、设于所述第二连接杆另一端VR相机固定总成框架，所述第一连接杆和第二连接杆在空间中相互垂直，所述VR相机固定总成框架为正四面体型，所述正四面体的其中一个顶点与所述第二连接杆固定连接，在所述正四面体的四个面心的位置均设置有VR相机固定框，所述正四面体的面心与重心的连线与所述VR相机的镜头的中心轴线相重合。本发明的云台仅需四个VR相机，大地减少了VR相机的镜头数，亦满足720°全景拍摄的需要。
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公开(公告)号：CN106779424A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611201594.8
申请日：2016-12-22
申请人： 东莞华南设计创新院
IPC分类号： G06Q10/06
CPC分类号： G06Q10/06393
摘要： 本发明公开了一种基于量化指标的信息化评价方法，包括以下步骤：S1：确定评价的目的和对象，根据目的和对象选取合适的指标；S2：对指标进行预处理，然后将指标分为必测项指标和选测项指标；S3：分别确定必测项指标和选测项指标的权重，选择合适的权值计算方法，明确必测项指标和选测项指标的权值；S4：利用二级层次分析法模型，根据必测项指标的权值计算必测项指标的评价结果；S5：根据选测项指标的权值计算选测项指标的评价结果；S6：必测项指标和选测项指标的评价结果之和为最终评价结果。本发明具有较强的操作性，科学、合理，能够量化信息化投资效益，对投资效益进行定量分析，且能够进行科学合理的信息化评价，方法简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN106229256A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610613954.9
申请日：2016-07-29
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/2053
摘要： 本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗
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