公开(公告)号：CN117616032A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047712.1

申请日：2022-07-04

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 荒木启介 ,  前林春城 ,  真先爱里 ,  小礒尚之 ,  仲龟良 ,  山本昌纪 ,  佐佐木一平 ,  岩永宏平

IPC: C07F9/53 ,  H01L33/50 ,  H01L31/055 ,  G02B5/20 ,  C09K11/06 ,  C08L101/00 ,  C08K5/3437 ,  C08K3/40 ,  C07F19/00 ,  C07F5/00 ,  C07D513/06 ,  C07D498/06 ,  C07D495/04 ,  C07D493/04 ,  C07D491/052 ,  C07D491/048 ,  C07D471/06 ,  C07D471/04 ,  C07D409/06 ,  C07D407/06 ,  C07D405/12 ,  C07D403/14 ,  C07D311/92 ,  C07D311/56 ,  C07D311/18 ,  C07D221/18 ,  C07D221/10 ,  C07D215/20 ,  C07D213/38 ,  C07D213/22

Abstract: 本发明公开了一种稀土络合物，其由通式(1)表示。[化学式1]式中，HC表示喹啉酮配体或香豆素配体，L1表示含氮配体等，L2表示水等，XL表示卤化物离子等，M3+表示三价稀土金属离子，n表示1、2或3，m1表示0、1或2，m2表示0～3。

公开(公告)号：CN108473521B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN108473521A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。