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公开(公告)号：CN119581405A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411262843.9
申请日：2024-09-10
Applicant: 东南大学 , 江苏芯德半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开一种玻璃面板级嵌入式封装的空腔填充工艺，属于半导体器件领域。该工艺包括以下步骤：通过光刻工艺制作玻璃空腔掩膜图案；使用氢氟酸溶液湿法刻蚀制作玻璃空腔；将芯片贴合膜黏合在芯片底部；将芯片拾取并放置在玻璃空腔中；电介质层压和固化。通过该工艺填充空腔后，电介质层的表面平整度好，无需进一步的飞切或表面平整化工艺即可继续在电介质层上制作细间距RDL层，具有实用价值。
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