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公开(公告)号：CN109752676A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910022165.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器。由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D按照头尾顺序连接方式构成惠斯通电桥，磁阻薄膜条A和B相差的相位为135°，磁阻薄膜条B、C相位相差45°，其中A、C平行，B、D平行。其等效电路图如附图3所示，外加磁场与薄膜平面平行，与磁阻薄膜条B电流方向夹角为θ。该薄膜磁阻传感器的结构简单、功耗小、实施便捷，由于改进了电桥的摆放方式，使得传感器能测得更小的磁场角度变化，并且具有温度补偿效应。
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公开(公告)号：CN114114098B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111344277.2
申请日：2021-11-15
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底n‑GaN、磁致伸缩层FeCoB和电极Pt。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN晶体中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节内建电势，即电荷传输行为，即肖特基结的高度和宽度被调制，从而调制载流子运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。
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公开(公告)号：CN109752678B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201910022172.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种简易各向异性薄膜磁阻传感器。该薄膜磁阻传感器包括由两条完全一样的各向异性第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)连接而成，第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)的相位差为45°。所述第一磁阻薄膜条(A)或第二磁阻薄膜条(B)的形状为连续的S形状。本发明的简易各向异性薄膜磁阻传感器具有结构简单，实施便捷的优点，并且因为两条磁阻薄膜呈45°摆放，更加灵敏，能测出较小的磁场角度变化。
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公开(公告)号：CN111708434A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010493138.5
申请日：2020-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及基于眼动识别技术的网上答题反馈系统，所述方法包括：获取人在进行网上答题时不同时间下的眼动信息；根据标准答案获得答题正确率的量化评价，得出该答题者的卷面成绩；根据相关时间信息及眼动信息得出做题合格与否、审题合格与否、审题是否足够有效等评价；根据相关眼动信息生成眼动热点图及瞳孔直径随时间变化图，得出该题完成过程中是否足够集中、是否对答题者造成了明显的精神负担等判断。该系统能够对考生的考试状态进行有效反馈，从而对考生的结果有更加详细的过程分析，从而对考生有更加针对性的指导。
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公开(公告)号：CN114062978B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111344254.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下，由于磁致伸缩效应，磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力，应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为，即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制，从而调制隧穿运输，I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单，灵敏度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115998302A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310034372.5
申请日：2023-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自封装功能的用于测量呼吸和心跳的柔性传感器。该该传感器包括从上向下依次设置且固定连接的上柔性基板、上金属层、中柔性基板、下金属层和下柔性基板；其中，所述的上金属层包括第一平面线圈和位于第一平面线圈内端的第一内侧连接头、位于第一平面线圈外端的第一外侧连接头、连接线和连接线连接头；所述的下金属层包括第二平面线圈和位于第二平面线圈内端的第二内侧连接头和位于第二平面线圈外端的第二外侧连接头；由第一平面线圈和第二平面线圈构成双线圈，分别位于中柔性基板的两侧。上柔性基板和下柔性基板实现对传感器的封装，保护了平面线圈。
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公开(公告)号：CN109752678A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910022172.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种简易各向异性薄膜磁阻传感器。该薄膜磁阻传感器包括由两条完全一样的各向异性第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)连接而成，第一磁阻薄膜条(A)和第二磁阻薄膜条(B)的相位差为45°。所述第一磁阻薄膜条(A)或第二磁阻薄膜条(B)的形状为连续的S形状。本发明的简易各向异性薄膜磁阻传感器具有结构简单，实施便捷的优点，并且因为两条磁阻薄膜呈45°摆放，更加灵敏，能测出较小的磁场角度变化。
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公开(公告)号：CN109752677A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910022171.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种双电桥式薄膜磁阻传感器，各向异性磁阻层由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D头尾顺序连接组成一个电桥，由另一组四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A’、B’、C’、D’头尾顺序连接组成另一个电桥，该两电桥相并联组成所述双电桥式薄膜磁阻传感器；其中，磁阻薄膜条A、B、C、D相位各相差90°，磁阻薄膜条A’B’C’D’排列方式与磁阻薄膜条ABCD相同，并且磁阻薄膜条A’、B’、C’、D’上都应用了与磁阻薄膜长轴方向成45°夹角的Barber电极(如摘要附图所示)。该薄膜磁阻传感器的结构新颖，首次采用了双电桥形式设计磁阻传感器，扩大了磁阻传感器的线性工作区，提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN109752675A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910022159.6
申请日：2019-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种正八边形薄膜磁阻传感器。该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I按头尾顺序连接的方式正八边形排列组成，相邻膜条相差的相位为135°。外加磁场与薄膜平面平行，与膜条C电流方向夹角为θ。该正八边形薄膜磁阻传感器工作电流低，输出电压高，测量结果更加精确。
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公开(公告)号：CN111708434B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010493138.5
申请日：2020-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及基于眼动识别技术的网上答题反馈系统，所述方法包括：获取人在进行网上答题时不同时间下的眼动信息；根据标准答案获得答题正确率的量化评价，得出该答题者的卷面成绩；根据相关时间信息及眼动信息得出做题合格与否、审题合格与否、审题是否足够有效等评价；根据相关眼动信息生成眼动热点图及瞳孔直径随时间变化图，得出该题完成过程中是否足够集中、是否对答题者造成了明显的精神负担等判断。该系统能够对考生的考试状态进行有效反馈，从而对考生的结果有更加详细的过程分析，从而对考生有更加针对性的指导。
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