一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法

    公开(公告)号:CN114062978B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202111344254.1

    申请日:2021-11-15

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/00

    摘要: 本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法,磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下,由于磁致伸缩效应,磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力,应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为,即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制,从而调制隧穿运输,I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单,灵敏度高。

    基于洛伦兹力的三维MEMS磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114296014B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202111635651.4

    申请日:2021-12-29

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/06 B81C1/00 B81B5/00

    摘要: 本发明公开了基于洛伦兹力的三轴MEMS磁场传感器,包括衬底、框架、锚区、弹簧、传感电极、驱动金属层、检测金属层以及质量块。该传感器利用MEMS工艺加工,利用梳齿电容组成的电容式感应电极。三轴感应电极集成在一个单一的质量块和框架之间,消除了轴间耦合,提高了灵敏度和降低噪声。该磁场传感器结构简单,灵敏度高,噪声小。

    一种用于油水分离的反冲洗移动式过滤装置

    公开(公告)号:CN107162104A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710345771.8

    申请日:2017-05-15

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: C02F1/40 B01D17/02 B01D17/022

    摘要: 本发明公开了一种用于油水分离的反冲洗移动式过滤装置,依次包括气动隔膜泵I、过滤器以及气动隔膜泵II,气动隔膜泵I与过滤器通过污水输送管连通,气动隔膜泵II与过滤器通过净水输送管连通,污水输送管端部设有带阀门的排污口,净水输送管端部设有带阀门的净水出水口;气动隔膜泵I一侧连通混合液进液口,气动隔膜泵II一侧连通净水进液口,过滤器连有排油管,油水混合液通过气动隔膜泵I进入过滤器中,经过油水分离的净水通过净水出水口排出,经过油水分离的油通过排油管排出;反冲洗净水通过气动隔膜泵II进入过滤器中,冲洗后的污水通过排污口排出。本发明过滤装置不仅能够实现油水分离,而且还能够进行反冲洗实现装置自清洁。

    一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法

    公开(公告)号:CN114114098B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202111344277.2

    申请日:2021-11-15

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/06

    摘要: 本发明公开了一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法,磁场传感器包括衬底n‑GaN、磁致伸缩层FeCoB和电极Pt。在磁场作用下,由于磁致伸缩效应,磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力,应力导致GaN晶体中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节内建电势,即电荷传输行为,即肖特基结的高度和宽度被调制,从而调制载流子运输,I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单,灵敏度高。

    基于洛伦兹力的三维MEMS磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114296014A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111635651.4

    申请日:2021-12-29

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/06 B81C1/00 B81B5/00

    摘要: 本发明公开了基于洛伦兹力的三轴MEMS磁场传感器,包括衬底、框架、锚区、弹簧、传感电极、驱动金属层、检测金属层以及质量块。该传感器利用MEMS工艺加工,利用梳齿电容组成的电容式感应电极。三轴感应电极集成在一个单一的质量块和框架之间,消除了轴间耦合,提高了灵敏度和降低噪声。该磁场传感器结构简单,灵敏度高,噪声小。

    一种结合眼动识别的网上答题反馈系统

    公开(公告)号:CN111708434A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010493138.5

    申请日:2020-06-03

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G06F3/01 G09B7/02

    摘要: 本发明涉及基于眼动识别技术的网上答题反馈系统,所述方法包括:获取人在进行网上答题时不同时间下的眼动信息;根据标准答案获得答题正确率的量化评价,得出该答题者的卷面成绩;根据相关时间信息及眼动信息得出做题合格与否、审题合格与否、审题是否足够有效等评价;根据相关眼动信息生成眼动热点图及瞳孔直径随时间变化图,得出该题完成过程中是否足够集中、是否对答题者造成了明显的精神负担等判断。该系统能够对考生的考试状态进行有效反馈,从而对考生的结果有更加详细的过程分析,从而对考生有更加针对性的指导。

    一种结合眼动识别的网上答题反馈系统

    公开(公告)号:CN111708434B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202010493138.5

    申请日:2020-06-03

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G06F3/01 G09B7/02

    摘要: 本发明涉及基于眼动识别技术的网上答题反馈系统,所述方法包括:获取人在进行网上答题时不同时间下的眼动信息;根据标准答案获得答题正确率的量化评价,得出该答题者的卷面成绩;根据相关时间信息及眼动信息得出做题合格与否、审题合格与否、审题是否足够有效等评价;根据相关眼动信息生成眼动热点图及瞳孔直径随时间变化图,得出该题完成过程中是否足够集中、是否对答题者造成了明显的精神负担等判断。该系统能够对考生的考试状态进行有效反馈,从而对考生的结果有更加详细的过程分析,从而对考生有更加针对性的指导。

    一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法

    公开(公告)号:CN114114098A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111344277.2

    申请日:2021-11-15

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/06

    摘要: 本发明公开了一种基于压电电子学的MEMS磁传感器及测量磁场方法,磁场传感器包括衬底n‑GaN、磁致伸缩层FeCoB和电极Pt。在磁场作用下,由于磁致伸缩效应,磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力,应力导致GaN晶体中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节内建电势,即电荷传输行为,即肖特基结的高度和宽度被调制,从而调制载流子运输,I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单,灵敏度高。

    一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法

    公开(公告)号:CN114062978A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111344254.1

    申请日:2021-11-15

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G01R33/00

    摘要: 本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法,磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al2O3、磁致伸缩层FeCoB和电极。在磁场作用下,由于磁致伸缩效应,磁致伸缩层将会对压电衬底施加应力,应力导致GaN中会产生压电势。晶体内压电势将作为栅极电压来调节电荷传输行为,即绝缘层隧穿势垒的高度和宽度被调制,从而调制隧穿运输,I‑V曲线发生相应的变化。由I‑V曲线的变化即可得到相应的磁场信息。该磁场传感器结构简单,灵敏度高。