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公开(公告)号:CN105162438A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510626563.6
申请日:2015-09-28
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种降低毛刺的TSPC型D触发器,包括第一级反相器结构、第二级反相器结构、第三级反相器结构以及复位管。本发明对传统TSPC型触发器理论分析影响毛刺的因素,进行结构改进和参数优化,降低DFF毛刺影响,提高DFF的性能,在保持电路工作稳定性的同时提高降低了电路功耗,实现数字系统对于基本数字单元低功耗与面积紧凑型的要求。与传统TSPC电路相比,本发明结构的DFF毛刺降低明显,稳定性与功耗方面有明显优势。
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公开(公告)号:CN104333351B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201410539314.9
申请日:2014-10-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种带复位结构的高速主从型D触发器,包括主锁存器、从锁存器和用于复位上拉PMOS管。本发明对传统带复位结构的主从型DFF理论分析影响建立保持时间的因素,进行结构改进和参数优化,降低DFF的建立保持时间,提高DFF的性能,在保持电路工作稳定性的同时提高了DFF的工作速度,从而提高数字系统电路的工作频率。与传统主从式DFF触发器电路相比,本发明结构的DFF建立保持时间之和降低了近63%,有明显优势。此外,相对于传统DFF,本发明结构版图面积大大降低,因此本发明结构的DFF电路兼顾了速度和面积两个优势。
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公开(公告)号:CN105162438B
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201510626563.6
申请日:2015-09-28
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种降低毛刺的TSPC型D触发器,包括第一级反相器结构、第二级反相器结构、第三级反相器结构以及复位管。本发明对传统TSPC型触发器理论分析影响毛刺的因素,进行结构改进和参数优化,降低DFF毛刺影响,提高DFF的性能,在保持电路工作稳定性的同时提高降低了电路功耗,实现数字系统对于基本数字单元低功耗与面积紧凑型的要求。与传统TSPC电路相比,本发明结构的DFF毛刺降低明显,稳定性与功耗方面有明显优势。
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公开(公告)号:CN104333351A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201410539314.9
申请日:2014-10-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种带复位结构的高速主从型D触发器,包括主锁存器、从锁存器和用于复位上拉PMOS管。本发明对传统带复位结构的主从型DFF理论分析影响建立保持时间的因素,进行结构改进和参数优化,降低DFF的建立保持时间,提高DFF的性能,在保持电路工作稳定性的同时提高了DFF的工作速度,从而提高数字系统电路的工作频率。与传统主从式DFF触发器电路相比,本发明结构的DFF建立保持时间之和降低了近63%,有明显优势。此外,相对于传统DFF,本发明结构版图面积大大降低,因此本发明结构的DFF电路兼顾了速度和面积两个优势。
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