公开(公告)号：CN118858872A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411020916.3

申请日：2024-07-29

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  黄磊 ,  曹钧厚 ,  王晨露 ,  吴团庄 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种关于IGBT的全区域退化表征方法，在IGBT集电极和发射极之间施加从0V逐步增大的负压，在每一个Vce下对IGBT的栅极进行电压扫描并且叠加小信号，栅压扫描范围为Vg1～Vg2。在每一个Vce下，测试Vg1～Vg2下的栅电容Cg，绘制Cg‑Vg曲线并分区。以相同的电压施加方式对退化后的器件再次测试Vg1～Vg2的栅电容Cg值，绘制Cg‑Vg曲线并且以同样的方式分区。对比退化前后曲线不同区域的漂移情况，表征IGBT功率器件全区域的退化情况、损伤程度。本方法可以简单快速地提取IGBT功率器件栅氧层和外延层的退化情况，为IGBT功率器件可靠性的分析提供快速的判定依据。

公开(公告)号：CN117832275A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311781172.2

申请日：2023-12-22

申请人： 东南大学

发明人： 魏家行 ,  王晨露 ,  付浩 ,  宋兆旭 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种低导通电阻的功率器件及制造方法，包括各个第二导电类型电场屏蔽区（9）、各个金属件（11）、预设厚度的各个导电源区件，以及自下至上依次堆叠设置的底部金属层（8）、第一导电类型衬底（1）、第一导电类型外延层（2）、第二导电类型体区层（5），并按设计实施构建功率器件，通过在栅极沟槽（10）下方设置第二导电类型电场屏蔽区（9），可以有效屏蔽电场，大幅度降低器件栅极介质层（3）承受的反向电场强度，提升器件击穿电压，增强器件可靠性，同时，设计第二导电类型电场屏蔽区（9）与对应栅极沟槽节点所接第二导电类型体区层（5）接触，从元胞结构设计上解决了屏蔽区带来的开关速度降低、导通电阻增大等问题。

公开(公告)号：CN118884160A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411020914.4

申请日：2024-07-29

申请人： 东南大学

发明人： 魏家行 ,  曹钧厚 ,  吴团庄 ,  黄磊 ,  王晨露 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种关于IGBT外延层的退化表征方法，包括：向器件栅极施加恒定的偏置电压并叠加小信号，对器件的集电极和发射极之间进行电压扫描；检测多个集电极和发射极偏置电压点下，栅极和集电极之间的电容值Cgc；计算出每个Vce值下的衬底电容Csub，并绘制Csub‑Vce曲线及1/C2sub‑Vce曲线，提取结型场效应区表面MOS电容Coj随Vce变化曲线；当器件由于应力发生退化后，计算此时的衬底电容Csub值并且绘制Csub‑Vce曲线及1/C2sub‑Vce曲线；对比器件退化前后曲线的漂移情况，分析计算缺陷电荷种类，位置和密度；本发明方法简便易行，可准确快速地测定器件外延层缺陷电荷。