发明公开
- 专利标题： 一种低导通电阻的功率器件及制造方法
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申请号： CN202311781172.2申请日： 2023-12-22
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公开(公告)号： CN117832275A公开(公告)日： 2024-04-05
- 发明人: 魏家行 , 王晨露 , 付浩 , 宋兆旭 , 刘斯扬 , 孙伟锋 , 时龙兴
- 申请人： 东南大学
- 申请人地址： 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- 专利权人： 东南大学
- 当前专利权人： 东南大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 田凌涛
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及一种低导通电阻的功率器件及制造方法，包括各个第二导电类型电场屏蔽区（9）、各个金属件（11）、预设厚度的各个导电源区件，以及自下至上依次堆叠设置的底部金属层（8）、第一导电类型衬底（1）、第一导电类型外延层（2）、第二导电类型体区层（5），并按设计实施构建功率器件，通过在栅极沟槽（10）下方设置第二导电类型电场屏蔽区（9），可以有效屏蔽电场，大幅度降低器件栅极介质层（3）承受的反向电场强度，提升器件击穿电压，增强器件可靠性，同时，设计第二导电类型电场屏蔽区（9）与对应栅极沟槽节点所接第二导电类型体区层（5）接触，从元胞结构设计上解决了屏蔽区带来的开关速度降低、导通电阻增大等问题。
IPC分类:
